一种3D集成式Micro LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种3D集成式Micro LED，包括导电衬底，若干个设于导电衬底正面上的基底层，设置在基底层正面上并填充在基底层之间的阻挡层，所述阻挡层将基底层隔绝，设置在基底层上发光柱体，所述发光柱体包括设于基底层上的第一半导体层、将第一半导体层的包裹的有源层、将有源层包裹的第二半导体层，覆盖在发光柱体和阻挡层上的透明导电层，所述透明导电层将多个发光柱体形成导电连接，设于导电衬底背面的第一电极，设于透明导电层上的第二电极，所述发光柱体实现360度出光，且其发光角度为180度。

【技术实现步骤摘要】
一种3D集成式MicroLED
本技术涉及二极管
，尤其涉及一种3D集成式MicroLED。
技术介绍
微型发光二极管(MicroLight-EmittingDiode，MicroLED)是一种尺寸为微米级的发光二极管，由于MicroLED的尺寸较小，因此其可以作为显示面板上的像素，采用MicroLED制备得到的显示面板可称为MicroLED显示面板。与有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板相比，MicroLED显示面板的使用寿命和可视角度均优于OLED显示面板，因此MicroLED显示技术成为目前显示
的研究重点。参见图1，现有的MicroLED芯片包括衬底10、设于衬底10上的第一半导体层20、设于第一半导体成20上的有源层30和第一电极51、设于有源层30上的第二半导体层40、以及设于第二半导体层40上的第二电极52。现有的MicroLED芯片由于受外层长晶的限制，发光角一般都在110～130度之间，若要增加芯片的发光角度，则需要进行封装实现二次光学出光，这样不仅增加芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D集成式Micro LED，其特征在于，包括：/n导电衬底，/n若干个设于导电衬底正面上的基底层，/n设置在基底层正面上并填充在基底层之间的阻挡层，所述阻挡层将基底层隔绝，/n设置在基底层上发光柱体，所述发光柱体包括设于基底层上的第一半导体层、将第一半导体层的包裹的有源层、将有源层包裹的第二半导体层，/n覆盖在发光柱体和阻挡层上的透明导电层，所述透明导电层将多个发光柱体形成导电连接，/n设于导电衬底背面的第一电极，设于透明导电层上的第二电极，/n所述发光柱体实现360度出光，且其发光角度为180度。/n

【技术特征摘要】
1.一种3D集成式MicroLED，其特征在于，包括：
导电衬底，
若干个设于导电衬底正面上的基底层，
设置在基底层正面上并填充在基底层之间的阻挡层，所述阻挡层将基底层隔绝，
设置在基底层上发光柱体，所述发光柱体包括设于基底层上的第一半导体层、将第一半导体层的包裹的有源层、将有源层包裹的第二半导体层，
覆盖在发光柱体和阻挡层上的透明导电层，所述透明导电层将多个发光柱体形成导电连接，
设于导电衬底背面的第一电极，设于透明导电层上的第二电极，
所述发光柱体实现360度出光，且其发光角度为180度。


2.如权利要求1所述的3D集成式MicroLED，其特征在于，所述发光柱体为柱状结构，所述发光柱体之间的间隔为3～50μm。


3.如权利要求1所述的3D集成式MicroLED，其特征在于，所述基底层包括AlN层、AlGaN层和U-GaN层，所述AlN层设于导电衬底上，所述AlGaN层设于AlN层和U-GaN层之间。


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【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，林耀辉，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44