发光二极管制造技术

公开了一种发光二极管，包括：蓝宝石衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面具有阵列排布的多个立体结构；位于衬底第二表面上的第一外延层、发光层、第二外延层；位于第一外延层上的第一电极以及位于第二外延层上的第二电极；位于衬底第二表面上方的单层或叠层上的绝缘反射层，位于所述第一表面上用于形成所述第一表面形态的掩膜。该发光二极管通过二氧化硅掩膜在蓝宝石表面上形成多个阵列排布的立体结构，以及在衬底表面的阵列排布的立体结构上保留二氧化硅掩膜，增加了出光面积且增大了光的逃逸角度。

light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本技术属于半导体器件
，更具体地，涉及一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管的发光效率主要由内量子效率(LED发光层的电光转换效率)以及外量子效率(光子从发光层逸出空气中的效率)决定。目前发光二极管的内量子效率可以达到很高，而发光二极管的发光效率仍然较低。目前提升发光二极管的外量子效率的技术中，表面粗化是最常见的，在粗糙面上光容易发生散射现象，并经粗糙面散射后不受入射角影响且部分逃逸半导体，以提高光在发光二极管中的出射几率。因此如何增加发光二极管衬底表面粗化，成为了提升发光二极管外量子效率的研究热点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种发光二极管，以提升发光二极管的出光面积、增大出射光的逃逸角度，从而提高发光二极管的外量子效率。根据本专利技术提供的一种发光二极管，包括：蓝宝石衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有阵列排布的多个立体结构；位于所述衬底第二表面上的第一外延层、发光层、第二外延层；位于所述第二外延层上的第一电极以及位于所述第一外延层上的第二电极；位于所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n蓝宝石衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有阵列排布的多个立体结构；/n位于所述衬底第二表面上的第一外延层、发光层、第二外延层；/n位于所述第二外延层上的第一电极以及位于所述第一外延层上的第二电极；/n位于所述衬底第二表面上方的单层或叠层结构上的绝缘反射层，/n位于所述第一表面上用于形成所述第一表面形态的掩膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
蓝宝石衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有阵列排布的多个立体结构；
位于所述衬底第二表面上的第一外延层、发光层、第二外延层；
位于所述第二外延层上的第一电极以及位于所述第一外延层上的第二电极；
位于所述衬底第二表面上方的单层或叠层结构上的绝缘反射层，
位于所述第一表面上用于形成所述第一表面形态的掩膜。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜位于多个所述立体结构上。


3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构为斜多棱柱体，所述立体结构的底面为圆形，所述立体结构的顶面为多边形。


4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构的棱柱与底面夹角为50°～80°。


5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构的底面直径为2.8μm～3.4μm。


6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构的高为0.7μm～1.6μm。


7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构之间的间距为0.2μm～0.5μm。


8.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜为二氧化硅层，所述掩膜包括多个阵列排布的图案化的图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵进超，李想，沈丹萍，李超，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33