深紫外线发光二极管制造技术

提供一种深紫外线发光二极管。一实施例的深紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电接通于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电接通于所述p欧姆接触层，所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔，所述台面具有沿长度方向长的矩形形状，所述过孔在与所述台面的长度方向垂直的方向上彼此平行排列，所述n欧姆接触层分别形成在暴露于所述台面的周围的第一导电型半导体层及暴露于所述过孔的第一导电型半导体层上。

【技术实现步骤摘要】
深紫外线发光二极管
本专利技术涉及无机物半导体发光二极管，尤其涉及发出300nm以下的深紫外线的发光二极管。
技术介绍
通常，发出200nm至300nm范围内的紫外线的发光二极管包括杀菌装置、水或空气净化装置、高密度光记录装置、生物气溶胶荧光检测系统的激发源在内可使用于各种用途。与近紫外线或青色发光二极管不同，相对发出深紫外线的发光二极管包括如AlGaN那样含有Al的阱层。起因于这种氮化镓系半导体层的组成，深紫外线发光二极管具有与青色发光二极管或近紫外线发光二极管相当不同的结构。尤其，以往技术的深紫外线发光二极管具有布置于n型半导体层上的台面的形状及位置与普通青色发光二极管或近紫外线发光二极管不同的的结构。即，台面从n型半导体层的中心向一侧倾斜形成，在台面上布置p凸块，在与上述一侧相对的另一侧附近从台面隔开形成n凸块。这种以往的紫外线发光二极管大体上具有光输出低且正向电压高的缺点。尤其，为了欧姆接触，在p型半导体层包括p型GaN层，因此入射于p型半导体层的紫外线在p型半导体层被吸收而损失。另外，接合于n型半导体层的n欧姆接触层也吸收光，因此向n欧姆接触层行进的光被n欧姆接触层吸收而损失。进而，以往的紫外线发光二极管难以充分利用从台面的侧面发出的光，因此具有尽可能要减少台面侧面的倾向。即，台面的幅宽相对宽地形成。但是，台面的幅宽越大从n欧姆接触层至台面的中央区域的距离变大，对电流分散不利，因此正向电压变高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题在于提供一种能够改善电特性及/或光输出的新结构的深紫外线发光二极管。本专利技术所要解决的又其它课题在于提供一种能够提高电流分散性能的深紫外线发光二极管。本专利技术的一实施例的深紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电接通于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电接通于所述p欧姆接触层，所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔，所述台面具有沿长度方向长的矩形形状，所述过孔在与所述台面的长度方向垂直的方向上彼此平行排列，所述n欧姆接触层分别形成在暴露于所述台面的周围的第一导电型半导体层及暴露于所述过孔的第一导电型半导体层上。本专利技术的又其它实施例的深紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；以及p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层，所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔，所述台面具有沿长度方向长的矩形形状，所述台面相对于沿着所述台面的长度方向经过所述台面的中心的面具有镜面对称结构，并且相对于沿着与所述台面的长度方向垂直的方向经过所述台面的中心的面具有镜面对称结构。本专利技术的又其它实施例的深紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层、p型半导体层以及使所述n型半导体层暴露的多个过孔；n欧姆接触层，分别接触于暴露于所述台面周围的n型半导体层及暴露于所述多个过孔的n型半导体层；第一反射层，覆盖所述n欧姆接触层的顶面及侧面；第二反射层，接通于所述第一反射层；n凸块，接通于所述第二反射层；以及p凸块，电接通于所述p型半导体层，所述n欧姆接触层、所述第一反射层及所述第二反射层包括Al层。根据本专利技术的实施例，能够提供一种深紫外线发光二极管，通过在与台面的长度方向垂直的方向上具有彼此平行的多个过孔的台面，能够确保宽面积的发光面积，并通过采用具有对称结构的台面，能够在台面中均匀分散电流。关于本专利技术的优点及特征，通过在详细的说明中仔细讨论或详细的说明会得到明确。附图说明图1是用于说明本专利技术的一实施例的深紫外线发光二极管的俯视图。图2是沿图1的截取线A-A截取的截面图。图3是用于说明本专利技术的一实施例的台面的简要俯视图。图4是用于说明本专利技术的一实施例的深紫外线发光二极管安装于基底的概要截面图。具体实施方式以下，参照所附附图对本专利技术的实施例进行详细说明。以下介绍的实施例为示例提供，以便使本专利技术的构思能够充分传达给本专利技术所属
的通常的技术人员。因此，本专利技术不限于以下说明的实施例，也可以以其它方式具体化。而且，在附图中，构成要件的宽度、长度、厚度等为了方便起见也可能夸张呈现。另外，当记载为一个构成要件在其它构成要件的“上方”或“上”时，不仅包括各部分“直接在”其它部分“上方”或“直接在”其它部分“上”的情况，还包括在各构成要件和其它构成要件之间还介有其它构成要件的情况。贯穿整个说明书，相同的参照编号表示相同的构成要件。以下说明的氮化物系半导体层可以利用普通周知的各种方法来生长，例如，可以利用MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition；有机金属化学气相沉积)、MBE(MolecularBeamEpitaxy；分子束外延)或HVPE(HydrideVaporPhaseEpitaxy；氢化物气相外延)等技术生长。只是，在以下说明的实施例中，说明半导体层利用MOCVD在生长腔室内生长。在氮化物系半导体层的生长过程中，流入生长腔室内的来源可以利用普通周知的来源，例如，Ga源可以利用TMGa、TEGa等，Al源可以利用TMAl、TEAl等，In源可以利用TMIn、TEIn等，N源可以利用NH3。但是，本专利技术不限于此。本专利技术的一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电接通于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电接通于所述p欧姆接触层，所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔，所述台面具有沿长度方向长的矩形形状，所述过孔在与所述台面的长度方向垂直的方向上彼此平行排列，所述n欧姆接触层分别形成在暴露于所述台面的周围的第一导电型半导体层及暴露于所述过孔的第一导电型半导体层上。在台面内部形成多个过孔，从而能够防止在台面内部形成非发光区域。以往，在台面的幅宽宽的情况下，从n欧姆接触层至台面内部的距离变大，形成非发光面积。与此相反，在本申请中，在台面内部布置多个过孔，在过孔内形成n欧姆接触层，从而能够在台面内部均匀分散电流。另一方面，可以是，所述多个过孔彼此以相同间距隔开。这种间隔可以调整为在过孔之间的台面内部不形成非发光区域。进而，可以是，所述台面相对于沿着所述台面的长度方向经过所述台面的中心的面具有镜面对称结构，并且相对于沿着与所述台面的长度方向垂直的方向经过所述台面的中心的面具有镜面对称结构。台面具有如上述那样的对称结构，从而能够通过台面的特定位置防止电流集中。另一方面，可以是，所述过孔之间的间距相同或大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外线发光二极管，包括：/n基板；/nn型半导体层，位于所述基板上；/n台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层及p型半导体层；/nn欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；/np欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；/nn凸块，电接通于所述n欧姆接触层；以及/np凸块，电接通于所述p欧姆接触层，/n所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔，/n所述台面具有沿长度方向长的矩形形状，/n所述过孔在与所述台面的长度方向垂直的方向上彼此平行排列，/n所述n欧姆接触层分别形成在暴露于所述台面的周围的第一导电型半导体层及暴露于所述过孔的第一导电型半导体层上。/n

【技术特征摘要】
20190114 KR 10-2019-00045471.一种深紫外线发光二极管，包括：
基板；
n型半导体层，位于所述基板上；
台面，布置于所述n型半导体层上，并包括活性层及p型半导体层；
n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；
p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；
n凸块，电接通于所述n欧姆接触层；以及
p凸块，电接通于所述p欧姆接触层，
所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔，
所述台面具有沿长度方向长的矩形形状，
所述过孔在与所述台面的长度方向垂直的方向上彼此平行排列，
所述n欧姆接触层分别形成在暴露于所述台面的周围的第一导电型半导体层及暴露于所述过孔的第一导电型半导体层上。


2.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述多个过孔彼此以相同间距隔开。


3.根据权利要求2所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述台面相对于沿着所述台面的长度方向经过所述台面的中心的面具有镜面对称结构，并且相对于沿着与所述台面的长度方向垂直的方向经过所述台面的中心的面具有镜面对称结构。


4.根据权利要求3所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述过孔之间的间距相同或大于所述过孔的一侧端部和所述台面的一侧边缘之间的间距。


5.根据权利要求4所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述台面的短侧边缘和所述过孔之间的间距相同或大于所述过孔之间的间距。


6.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，
在暴露于所述台面周围的第一导电型半导体层上布置的n欧姆接触层围绕所述台面。


7.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述深紫外线发光二极管还包括分别覆盖所述n欧姆接触层及所述p欧姆接触层的n耦合层及p耦合层，所述n耦合层及所述p耦合层覆盖欧姆接触层的顶面及侧面。


8.根据权利要求1所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述深紫外线发光二极管包括：
下绝缘层，覆盖所述台面、所述n欧姆接触层及所述p欧姆接触层，并且在所述n欧姆接触层及所述p欧姆接触层上方具有开口部；
n焊盘金属层及p焊盘金属层，布置于所述下绝缘层上，并且通过所述下绝缘层的开口部分别电接通于所述n欧姆接触层及所述p欧姆接触层；以及
上绝缘层，覆盖所述n焊盘金属层及所述p焊盘金属层，
所述n凸块及所述p凸块布置于所述上绝缘层上，并通过所述上绝缘层的开口部而电接通于所述n焊盘金属层及所述p焊盘金属层。


9.根据权利要求8所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述n焊盘金属层包括Al层。


10.根据权利要求9所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述n焊盘金属层反射通过所述台面的侧面发出的光。


11.根据权利要求8所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述深紫外线发光二极管还包括分别覆盖所述n欧姆接触层及所述p欧姆接触层的n耦合层及p耦合层，
所述n焊盘金属层接通于所述n耦合层而电接通于所述n欧姆接触层。


12.根据权利要求11所述的深紫外线发光二极管，其中，
所述n耦合层包括Al层。


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【专利技术属性】
技术研发人员：金泰均，李圭浩，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR