GaN基LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN基LED芯片，包括：支撑衬底；设于支撑衬底表面的多层半导体结构，多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，第二半导体层为GaN层，且多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，第一预设区域为未粗化GaN表面，第二预设区域为粗化GaN表面；及于第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。相对于现有整个多层半导体结构表面均粗化的芯片来说，大大提高了后续封装焊线的可靠性，大大降低了出现虚焊、掉电极等异常现象的概率。

【技术实现步骤摘要】
GaN基LED芯片
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种LED芯片。
技术介绍
近年来，LED产业得以迅猛发展，提升亮度仍然是LED芯片不断追求的目标。在GaN基LED芯片中，通过对GaN表面进行粗化可以使其亮度提升50-300％，是以多种结构的GaN基LED芯片，尤其是垂直结构LED芯片都会采用粗化工艺对GaN表面进行处理。目前，GaN基LED芯片的粗化过程一般为：1)将外延生长的多层半导体结构12转移至支撑衬底11上；2)针对多层半导体结构12表面进行粗化形成GaN粗糙面13，如图1所示；3)在该GaN粗糙面13上制作电极14，如图2所示。从图中可以看出，由于GaN粗糙面的粗糙度较大，直接影响了电极的表面形貌，使得电极的表面同样粗糙不平。这一现象使得电极表面容易藏污纳垢的同时直接影响了后续封装焊线的可靠性。具体表现为，粗糙不平的表面使得电极顶端的有效面积减小，导致封装中与焊线之间的有效接触面积大大减少，以此易出现虚焊、掉电极等异常现象。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种GaN基LED芯片，有效解决现有芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN基LED芯片，其特征在于，包括：/n支撑衬底；/n设于所述支撑衬底表面的多层半导体结构，所述多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，所述第二半导体层为GaN层，且所述多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，所述第一预设区域为未粗化GaN表面，所述第二预设区域为粗化GaN表面；及/n于所述第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种GaN基LED芯片，其特征在于，包括：
支撑衬底；
设于所述支撑衬底表面的多层半导体结构，所述多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，所述第二半导体层为GaN层，且所述多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，所述第一预设区域为未粗化GaN表面，所述第二预设区域为粗化GaN表面；及
于所述第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。


2.如权利要求1所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述第一预设区域的面积占多层半导体结构表面面积的10～70％。


3.如权利要求1或2所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述金属电极的面积小于所述第一预设区域的面积，且金属电极边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。


4.如权利要求1或2所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述第一预设区域的未粗化GaN表面制作有一电极孔，所述金属电极制作于所述电极孔内。


5.如权利要求4所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述金属电极的面积小于所述电极孔的面积，且电极孔边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm，金属电极边缘与电极孔边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。


6.如权利要求4所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述电极孔的面积小于第一预设区域的面积，所述第一预设区域中电极孔的周围还包括未粗化GaN表面平台，所述金属电极制作于所述电极孔及未粗化GaN表面平台上，且电极孔边缘与第一预...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伏波，杨小东，黄涛，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36