一种大功率LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种大功率LED芯片，所述大功率LED芯片包括外延层、ITO层、第一反射层、阻挡层、钝化层、第二反射层、键合层、Si衬底层、保护层和P、N电极。通过在外延层内开设圆孔，圆孔内填充键合材料，实现N型氮化镓层与N‑Pad电性连接。圆孔内侧壁覆盖接触层，并在圆孔内壁及钝化层表面蒸镀第二反射层，增加大功率LED芯片内部光的反射面积，提高器件的反射能力，提高光电可靠性；进一步地在，在阻挡层边缘处设置均匀分布的凹槽阵列，并在凹槽阵列的表面依次覆盖钝化层和第二反射层，可以减少阻挡层金属对芯片内部光的吸收，并通过第二反射层增加反射效果，同时，有利于电流的均匀导通，保证器件稳定性的前提提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率LED芯片
本技术属于半导体
，尤其涉及一种大功率LED芯片。
技术介绍
在LED照明
，高光效是人们不懈追求的目标。具有较高发光效率的LED照明已成为发展趋势，未来大功率、高光效的LED照明器件将广泛地应用于各种领域，例如车用照明、商用照明、路灯照明、智能家居照明等等。然而就目前的技术背景下，大功率意味着需要更大的LED器件尺寸和更大的驱动电流。随着LED器件尺寸和驱动电流的增大，器件热损耗增加、光效降低、可靠性降低等问题成为LED照明技术快速发展的瓶颈，LED器件本身的光效提升不但能减少能量转换中的热损耗，同时也可降低因热损耗在使用中的引发的可靠性问题，因而提高大功率/电流LED器件的发光效率十分关键。反转垂直结构芯片在垂直线形结构的基础上，可以将线形结构的平面电流扩展能力转化为空间电流扩展能力，使其电流分布均匀性得到大幅提升，同时可以一定程度提升芯片的光效。而且优异的电流扩展能力能够给圆孔结构芯片带来优秀的超电流驱动能力，故反转垂直结构芯片具有强大的市场发展前景和潜力。但现有技术的反转垂直结构芯片，考虑到N型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率LED芯片，所述大功率LED芯片为反转垂直结构，其特征在于，包括外延层、ITO层、第一反射层、阻挡层、钝化层、接触层和第二反射层，所述外延层由上至下依次由N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层堆叠构成，所述第一反射层覆盖所述P型氮化镓层表面的所述ITO层，所述第一反射层表面依次设有所述阻挡层和所述钝化层，所述外延层具有开口设置于所述P型氮化镓层、底部位于所述有源层和所述N型氮化镓层之间的圆孔，所述圆孔内侧壁依次覆盖所述钝化层、接触层和第二反射层，所述圆孔底部依次覆盖所述接触层和所述第二反射层。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率LED芯片，所述大功率LED芯片为反转垂直结构，其特征在于，包括外延层、ITO层、第一反射层、阻挡层、钝化层、接触层和第二反射层，所述外延层由上至下依次由N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层堆叠构成，所述第一反射层覆盖所述P型氮化镓层表面的所述ITO层，所述第一反射层表面依次设有所述阻挡层和所述钝化层，所述外延层具有开口设置于所述P型氮化镓层、底部位于所述有源层和所述N型氮化镓层之间的圆孔，所述圆孔内侧壁依次覆盖所述钝化层、接触层和第二反射层，所述圆孔底部依次覆盖所述接触层和所述第二反射层。


2.如权利要求1所述的一种大功率LED芯片，其特征在于，所述接触层材料为ZnO、ITO、Ti或Cr。


3.如权利要求1所述的一种大功率LED芯片，其特征在于，所述阻挡层边缘开设均匀分布的矩形凹槽阵列。


4.如权利要求3所述的一种大功率LED芯片，其特征在于，所述矩形凹槽阵列表面依次覆盖有所述钝化层和所述第二反射层。


5....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷蒙，杨丹，徐晓丽，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42