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本实用新型提供了一种大功率LED芯片，所述大功率LED芯片包括外延层、ITO层、第一反射层、阻挡层、钝化层、第二反射层、键合层、Si衬底层、保护层和P、N电极。通过在外延层内开设圆孔，圆孔内填充键合材料，实现N型氮化镓层与N‑Pad电性连接...
该专利属于华引芯(武汉)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华引芯(武汉)科技有限公司授权不得商用。

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