【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种光刻胶的匀胶方法及匀胶装置。
技术介绍
1、发光二极管（英文全称：light emitting diode，简称：led）是一种电致发光的半导体发光器件，因其具有能耗低、体积小、寿命长，稳定性好、响应快、发光波长稳定等优势，目前已经在照明、显示、医疗、光通信等领域被广泛地应用。
2、在发光二极管等半导体器件的生产制造过程中，刻蚀、沉积、离子注入、薄膜等制程发挥着重要作用，其中，光刻工艺在各制程中扮演着中枢、纽带的角色。光刻工艺的目的是将掩模版上的图形复制转移到晶圆上，再通过其他工艺处理形成所需要的结构和图形。光刻工艺包括匀胶、曝光、显影等工序，其中，由于光刻胶的材料成本较高，而匀胶工艺会直接影响光刻胶的用量的多少，因此，匀胶工艺是影响光刻工艺成本的重要因素。
3、相关技术中，光刻胶的匀胶工艺，通常是通过动态涂胶的方式实现的。具体的，晶圆吸附在载盘上，并旋转，光刻胶以设定的滴胶量滴在晶圆的中心，在离心力的作用下均匀涂敷在晶圆表面，形成均匀、厚度符合工艺需求的光刻胶。但是，大多数光刻胶在...
【技术保护点】
1.一种光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一转速为30rpm至50rpm，所述第一剂量为4.5ml至7.5ml；所述第二转速为600rpm至900rpm，所述第二剂量为0.8ml至1.4ml。
3.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一喷嘴的喷液时长为第一时长，所述第二喷嘴的喷液时长为第二时长，其中，所述第一时长大于所述第二时长。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆设置在一旋转载台上的步...
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述光刻胶的匀胶方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一转速为30rpm至50rpm，所述第一剂量为4.5ml至7.5ml；所述第二转速为600rpm至900rpm，所述第二剂量为0.8ml至1.4ml。
3.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述第一喷嘴的喷液时长为第一时长，所述第二喷嘴的喷液时长为第二时长，其中，所述第一时长大于所述第二时长。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆设置在一旋转载台上的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，在所述将所述晶圆送入六甲基二硅胺烷气氛的密闭腔式内，以将所述晶圆的表面的亲水基团置换为具有疏水性的osi(ch3)3的步骤之前，所述光刻胶的匀胶方法还包括以下步骤：
6.根据权利要求4所述的光刻胶的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙鲁滨，刘芳，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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