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本实用新型公开了一种GaN基LED芯片，包括：支撑衬底；设于支撑衬底表面的多层半导体结构，多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，第二半导体层为GaN层，且多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，第一...
该专利属于晶能光电(江西)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电(江西)有限公司授权不得商用。

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