一种倒装深紫外发光二极管制造技术

一种倒装深紫外发光二极管，具有高铝组分的半导层，半导体层上设置有N型电极和P型电极，N型电极依次包括与高铝组分半导体层接触的第一导电金属层，用于保护第一金属层和补充N型电极高度的第二导电金属层，用于对接外接电路的第三导电金属层；P型电极具有所述第三导电金属层，N型电极和P型电极的第三导电金属层设置在同一水平面上，用以解决紫外发光二极管的封装电极空洞问题，降低封装后芯片与基板的空洞率，提升产品散热能力，以降低光衰减和提升可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装深紫外发光二极管
本技术属于发光半导体芯片领域，具体涉及一种倒装深紫外发光二极管的结构。
技术介绍
倒装深紫外发光二极管芯片（UVCLED）的波长WLP为200nm~320nm，在制备过程中需经过图案（Mesa）刻蚀、介质层蒸镀、各层金属蒸镀、绝缘层蒸镀、键合电极（BondingPad）蒸镀等工序，在制备过程中会在芯片表面形成凹凸不平的形貌，会影响到键合电极（BondingPad）的平整度，进而会影响封装过程中的固晶空洞率的比例，当固晶后空洞率超过20%时，会严重影响散热，而深紫外发光二极管（UVCLED）芯片相比其他波段的发光二极管对热比较敏感，当长时间受到高温影响时，光衰减程度会严重增大，使用寿命会减短。现有LED各厂家缺少在该细节上的研究和导入，本专利考虑到UVC倒装芯片的特殊性，提出一种降低固晶空洞率，提升散热，降低光衰的技术方案。
技术实现思路
本技术关注在芯片和封装结合的环节，正如在
技术介绍
中陈述的，当芯片电极表面处于凹凸不平的时候，在封装过程中引起的空洞率会比较高，这样会导致芯片的散热性能变差，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装深紫外发光二极管，具有半导层序列，半导体层序列包括：第一发光外延层，第二发光外延层，和位于两者之间的有源层，具有贯穿有源层和第二发光外延层的凹槽或者台阶，凹槽或者台阶贯穿至露出第一发光外延层，在露出的第一发光外延层上设置有第一电极，在第二发光外延层上设置有第二电极，其中第一电极和第二电极远离发光二极管的主要出光面；/n其特征在于，第一电极依次包括与第一发光外延层接触的第一导电金属层，用于保护第一导电金属层和提升第一电极的第二导电金属层，用于对接外接电路的第三导电金属层；第二电极具有所述第三导电金属层，通过如上设置使第一电极和第二电极的顶面位于同一水平面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装深紫外发光二极管，具有半导层序列，半导体层序列包括：第一发光外延层，第二发光外延层，和位于两者之间的有源层，具有贯穿有源层和第二发光外延层的凹槽或者台阶，凹槽或者台阶贯穿至露出第一发光外延层，在露出的第一发光外延层上设置有第一电极，在第二发光外延层上设置有第二电极，其中第一电极和第二电极远离发光二极管的主要出光面；
其特征在于，第一电极依次包括与第一发光外延层接触的第一导电金属层，用于保护第一导电金属层和提升第一电极的第二导电金属层，用于对接外接电路的第三导电金属层；第二电极具有所述第三导电金属层，通过如上设置使第一电极和第二电极的顶面位于同一水平面上。


2.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外发光二极管，其特征在于，第三导电金属层为反射金属，直接位于第二发光外延层表面。


3.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外发光二极管，其特征在于，第三导电金属层和第二发光外延层之间具有透明导电扩展层。


4.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外发光二极管，其特征在于，倒装深紫外发光二极管的波长为200nm至320nm。


5.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，臧雅姝，彭康伟，林素慧，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35