LED芯片及LED芯片制造方法技术

本发明专利技术提供一种LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，透明导电层设有第一窗口区，第一窗口区设于N型半导体层上方，暴露出N型半导体层；于第一窗口区内，N型半导体层上设有金属层，金属层上方设有绝缘层，金属层与透明导电层电性连接；N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于绝缘层上方，N电极扩展部电性连接至N型半导体层。保留了位于N电极下方的发光层，在绝缘层下方区域采用金属层代替透明导电层，具有优良粘附性的金属层稳固粘附绝缘层和半导体层，且纳米级厚度的金属层呈透明状，具有透光性，使N电极下方的发光区域得到有效利用。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片及LED芯片制造方法
本专利技术涉及半导体发光器件领域，具体地涉及一种LED芯片及LED芯片制造方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)作为一种新型节能、环保固态照明光源，具有能效高、体积小、重量轻、响应速度快以及寿命长等优点，使其在很多领域得到了广泛应用。常规LED外延结构中，P型半导体层在上层，N型半导体层在下层，主要反光层PN结在P型半导体层和N型半导体层之间，芯片制作中需要把N型半导体层需要通过刻蚀制程将其暴露出来，P型半导体层和发光层被刻蚀掉，造成主要发光层利用率偏低。为改善此问题，现有通过在P型半导体层上制作二氧化硅钝化绝缘层，然后在特定区域进行少面积刻蚀，把N型半导体层暴露出来，在绝缘层上制作N负极焊盘，使用金属电极线把少面积暴露区域和N负极焊盘进行连接的技术方案。然而，在上述技术方案中，虽然保留了发光层，但因透明导电层和二氧化硅、金属电极粘附力较差，所以在N负极焊盘下层的二氧化硅层层下不能设置透明导电层进行电流扩展，无透明导电层的区域发光效率极低，导致虽有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，其特征在于，/n所述透明导电层设有第一窗口区，所述第一窗口区设于所述N型半导体层上方，暴露出所述N型半导体层；/n于所述第一窗口区内，所述N型半导体层上设有金属层，所述金属层上方设有绝缘层，所述金属层与所述透明导电层电性连接；/n所述N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于所述绝缘层上方，所述N电极扩展部电性连接至所述N型半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，其特征在于，
所述透明导电层设有第一窗口区，所述第一窗口区设于所述N型半导体层上方，暴露出所述N型半导体层；
于所述第一窗口区内，所述N型半导体层上设有金属层，所述金属层上方设有绝缘层，所述金属层与所述透明导电层电性连接；
所述N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于所述绝缘层上方，所述N电极扩展部电性连接至所述N型半导体层。


2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层和所述发光层形成有一贯通的N电极连接区，暴露出所述N型半导体层，所述透明导电层设有暴露所述N电极连接区的第二窗口区。


3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极还包括与所述N电极焊盘部相连的N电极扩展部，所述N电极扩展部延伸至所述N电极连接区内与所述N型半导体层电性连接。


4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层还覆盖于位于所述N电极扩展部下方的所述N型半导体层和所述N电极连接区的部分侧壁面。


5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层的材质为铬、或钛、或铝、或镍、或铂、或金或上述金属形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32