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本发明提供一种LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，透明导电层设有第一窗口区，第一窗口区设于N型半导体层上方，暴露出N型半导体层；于第一窗口区内，N型半...
该专利属于聚灿光电科技(宿迁)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技(宿迁)有限公司授权不得商用。

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