发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管及其制造方法，其中该发光二极管包含：一半导体叠层，依序叠有一第一半导体层、一发光层、以及一第二半导体层；一透明导电层，形成于半导体叠层上，电连接第二半导体层；一绝缘层，形成于透明导电层上，包含一第一开口；以及一电极层，形成于绝缘层上，包含一第一焊垫区以及一第一延伸区；其中，第一延伸区通过第一开口接触透明导电层，且第一延伸区完全包围第一开口。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及发光二极管，尤其是涉及具有提升亮度及/或增进电流分布的发光二极管，以及其相关的制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)具有耗能低、低发热、操作寿命长、防震、体积小、以及反应速度快等良好特性，因此适用于各种照明及显示用途。传统的LED，采用化合物半导体材料，利用P型半导体层中的空穴跟N型半导体层中的电子，两者复合(recombination)后所产生的光子(photon)来产生光线。其中一种现有LED制作流程上使用五道光掩模，分别用来定义半导体叠层的高台(mesa)、电流阻挡层(currentblockinglayer)、透明导电层、电极、以及绝缘保护层。光掩模使用的越少，可以降低成本，提高良率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种发光二极管，包含一半导体叠层，依序叠有一第一半导体层、一发光层、以及一第二半导体层；一透明导电层，形成于半导体叠层上，电连接第二半导体层；一绝缘层，形成于透明导电层上，包含一第一开口；以及一电极层，形成于绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：/n半导体叠层，依序叠有第一半导体层、发光层、以及第二半导体层；/n透明导电层，形成于该半导体叠层上，电连接该第二半导体层；/n绝缘层，形成于该透明导电层上，包含第一开口；以及/n电极层，形成于该绝缘层上，包含第一焊垫区以及第一延伸区；/n其中，该第一延伸区通过该第一开口接触该透明导电层，且该第一延伸区完全包围该第一开口。/n

【技术特征摘要】
20190520 TW 1081173851.一种发光二极管，其特征在于，包含：
半导体叠层，依序叠有第一半导体层、发光层、以及第二半导体层；
透明导电层，形成于该半导体叠层上，电连接该第二半导体层；
绝缘层，形成于该透明导电层上，包含第一开口；以及
电极层，形成于该绝缘层上，包含第一焊垫区以及第一延伸区；
其中，该第一延伸区通过该第一开口接触该透明导电层，且该第一延伸区完全包围该第一开口。


2.如权利要求1所述的该发光二极管，其中，该第一延伸区包含一部分位于该第一开口上，且该部分的宽度大于该第一开口的宽度。


3.如权利要求1所述的该发光二极管，还包含多个穿阱位于该半导体叠层及该透明导电层中，其中该些穿阱各包含侧壁以及底部，其中该侧壁包含该透明导电层的侧壁、该第二半导体层的侧壁、该发光层的侧壁以及该第一半导体层的部分侧壁，该底部包含该第一半导体层的上表面；
其中该第一焊盘区位于该些穿阱其中之一上，且该绝缘层覆盖该其中之一穿阱。


4.一种发光二极管，其特征在于，包含：
半导体叠层，依序叠有第一半导体层、发光层、以及第二半导体层；
穿阱，位于该半导体叠层中，包含侧壁以及底部，其中该穿阱曝露该第二半导体层、该发光层以及该第一半导体层的一部分；
透明导电层，形成于该半导体叠层上，电连接至该第二半导体层；
绝缘层，形成于该透明导电层上，包含第一开口；以及
电极层，形成于该绝缘层上，包含第一焊垫区以及第一延伸区；
其中，该第一延伸区通过该第一开口接触该透明导电层，且该第一延伸区与该穿阱重叠，该第一延伸区不通过该穿阱与该第一半导体层电性接触。


5.如权利要求4所述的该发光二极管，其中，该绝缘层还包含阻挡岛被该第一开...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智咏，王心盈，郭得山，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71