一种紫外LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种紫外LED芯片及其制作方法，阱垒之间插入一层较薄的Al

【技术实现步骤摘要】
一种紫外LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体光电子
，更具体地说，涉及一种紫外LED芯片及其制作方法。
技术介绍
近年来，由于GaN基材料优异的物理和化学特性，例如禁带宽度大、击穿电场高和电子饱和迁移率高等，在电学和光学领域受到广泛的关注与应用，比如，目前商业化应用较高的蓝绿光发光材料。然而，迄今为止只利用了GaN基材料发光谱中非常窄的一部分，通过向GaN基材料中添加Al，实现覆盖整个紫外波段的发光。同时，由于紫外光在工业固化、杀菌消毒和环境监测等领域的重要应用，市场前景极为广阔。但是，目前由于材料、结构和生产工艺等因素的限制，紫外LED的大规模应用依旧存在很多问题，例如电子束缚不足导致的溢流严重的问题，强极化电场引起的发光效率低下的问题，以及AlGaN晶体质量有待于进一步提升等问题，这些都给紫外LED商业化带来了巨大的挑战。目前，常规紫外LED芯片的量子阱结构主要为：InGaN/GaN，由于GaN势垒较低，无法有效束缚电子，电子溢流严重；InGaN/AlGaN，虽然可以有效束缚电子，但是这两种材料的晶格失配较大，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外LED芯片，其特征在于，所述紫外LED芯片包括：/n衬底；/n依次设置在所述衬底一侧的缓冲层和电流扩展层；/n设置在所述电流扩展层背离所述缓冲层一侧的多量子阱结构，其中，所述多量子阱结构包括多层在第一方向上堆叠设置的多量子阱叠层，所述多量子阱叠层包括在所述第一方向上依次设置的InGaN量子阱层、Al

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED芯片，其特征在于，所述紫外LED芯片包括：
衬底；
依次设置在所述衬底一侧的缓冲层和电流扩展层；
设置在所述电流扩展层背离所述缓冲层一侧的多量子阱结构，其中，所述多量子阱结构包括多层在第一方向上堆叠设置的多量子阱叠层，所述多量子阱叠层包括在所述第一方向上依次设置的InGaN量子阱层、AlxInyGa1-x-yN插入层和AlGaN量子垒层，0＜x＜0.05，0＜y＜0.05；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层。


2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述InGaN量子阱层的厚度为2nm-4nm。


3.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述AlxInyGa1-x-yN插入层的厚度为1nm-3nm。


4.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述AlGaN量子垒层的厚度为7nm-9nm。


5.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述AlGaN量子垒层中的Al组分高于所述AlxInyGa1-x-yN插入层中的Al组分。


6.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，多层所述AlxInyGa1-x...

【专利技术属性】
技术研发人员：万志，卓祥景，尧刚，程伟，林志伟，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35