一种Mini LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明专利技术提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。

A mini LED chip and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种MiniLED芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，更为具体地说，涉及一种MiniLED(MiniLightEmittingDiode，微发光二极管)芯片及其制作方法。
技术介绍
液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有重量轻、厚度薄、易于驱动、不含有害射线等优点，广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话等现代信息设备。但是，由于LCD自身不发光，因此，需要通过耦合外部光源来实现显示，导致LCD相应显示装置较厚。为了适应显示面板轻薄化的发展趋势，在LCD之后出现了有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板，其具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、响应速度快、可用于挠曲性面板等优异的特性。随着显示面板的更新换代，现在市场上出现了一种新型的显示面板-微发光二极管(MiniLED)显示面板，其也属于主动发光器件，且相较于OLED显示面板，其响应速度更快、使用温度范围更宽、光源利用率更高、寿命更长、成本更低、这些优势使得微LED的显示面板有望成为未来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Mini LED芯片，其特征在于，包括：/n依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；/n位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；/n位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；/n覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩...

【技术特征摘要】
1.一种MiniLED芯片，其特征在于，包括：
依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；
位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；
位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；
覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩展电极处具有裸露所述扩展电极的第二通孔；
以及，位于所述绝缘隔离反射层背离所述生长衬底一侧的第一键合电极和第二键合电极，其中，所述第一键合电极通过所述第一通孔与所述第一类型半导体层接触，及所述第二键合电极通过所述第二通孔与所述扩展电极接触。


2.根据权利要求1所述的MiniLED芯片，其特征在于，所述第一键合电极和所述第二键合电极中至少之一者具有多个孔洞。


3.根据权利要求2所述的MiniLED芯片，其特征在于，具有所述多个孔洞的键合电极中，所述多个孔洞划分为第一孔洞组和第二孔洞组；
其中，所述第一孔洞组和所述第二孔洞组关于所述第一通孔至所述第二通孔的连线为对称轴对称。


4.根据权利要求1所述的MiniLED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离反射层还延伸覆盖至所述发光外延的侧面裸露面处。


5.根据权利要求1所述的MiniLED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离反射层为DBR绝缘隔离反射层。


6.根据权利要求4所述的MiniLED芯片，其特征在于，所述DBR绝缘隔离反射层为SiO2、Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英策，李俊贤，刘兆，黄瑄，邬新根，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35