共阴极LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种共阴极LED芯片及其制作方法，芯片包括p型半导体层、发光层、n型半导体层、凹槽、连接层、透明导电层、量子点层及保护层，凹槽贯穿n型半导体层、发光层及p型半导体层，以隔离出多个LED单元，连接层横跨于凹槽上，其两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连。本发明专利技术的LED芯片，采用共阴极设计，可将多个LED芯片整合为一个整体，转移量为传统方法的三分之一以下，且芯片尺寸较单颗芯片大，转移难度相对较低，可解决现有Micro LED转移难度大、转移次数多、较低转移良率和相邻LED间颜色窜扰的问题。

Common cathode LED chip and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
共阴极LED芯片及其制作方法
本专利技术属于LED制造
，特别是涉及一种共阴极LED芯片及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的进步，市场对液晶显示器(LCD，即LiquidCrystalDisplay)的低对比度，低色域，低响应速度等缺点，以及有机发光显示器(OLED，即OrganicLightEmittingDisplay)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发地不满。MicroLED显示技术作为下一代显示技术，具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率、寿命长等优点，其兼有LCD及OLED的优点的同时又没有其缺点。MicroLED还具有可柔性显示及低能耗的优点，被誉为一种终极显示技术。MicroLED显示器是通过将巨量MicroLED转移至驱动基板上而制作出来的。一台4K电视有2540万颗MicroLED。且MicroLED尺寸极小，其尺寸一般不大于80μm(电视)，且可小至数百纳米(AR、VR显示器)。以常规的抓取方式制作，当转移速率为10颗/s时，制作一台电视需时29.4天，效率极低。为了提升转移速率，解决此难题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共阴极LED芯片，其特征在于，包括：/np型半导体层；/n发光层，位于所述p型半导体层上方；/nn型半导体层，位于所述发光层上方；/n凹槽，贯穿所述n型半导体层、所述发光层及所述p型半导体层，以隔离出多个LED单元；/n连接层，横跨于所述凹槽上，其两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连；/n透明导电层，位于所述n型半导体层及连接层之上；/n量子点层，位于所述LED单元的透明导电层之上；/n保护层，位于所述量子点层之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种共阴极LED芯片，其特征在于，包括：
p型半导体层；
发光层，位于所述p型半导体层上方；
n型半导体层，位于所述发光层上方；
凹槽，贯穿所述n型半导体层、所述发光层及所述p型半导体层，以隔离出多个LED单元；
连接层，横跨于所述凹槽上，其两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连；
透明导电层，位于所述n型半导体层及连接层之上；
量子点层，位于所述LED单元的透明导电层之上；
保护层，位于所述量子点层之上。


2.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述共阴极LED芯片还包括一引出槽，所述引出槽与相邻的所述凹槽之间横跨有跨接层，所述引出槽中具有n电极，所述n电极通过所述引出槽与所述跨接层接触，并延伸至所述p型半导体层表面。


3.根据权利要求2所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述LED单元的p型半导体层表面具有p电极，所述p电极与所述n电极共面。


4.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述共阴极LED芯片还包括反射层，所述反射层至少覆盖所述凹槽的侧壁。


5.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述n型半导体层包括n型氮化镓层，所述p型半导体层包括p型氮化镓层，或所述n型半导体层包括n型铝镓氮层，所述p型半导体层包括p型铝镓氮层。


6.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述共阴极LED芯片还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述发光层与所述p型半导体层之间。


7.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述发光层包括量子阱超晶格层。


8.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述反射层包括布拉格反射层，所述布拉格反射层为交替层叠的Ti3O5/SiO2。


9.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述透明导电层的材料包括ITO，所述保护层的材料包括二氧化硅。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘权锋，庄文荣，孙明，王印，卢敬权，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44