集成DBR的垂直结构LED及其形成方法技术

本发明专利技术涉及照明、显示和光通信技术领域，尤其涉及一种集成DBR的垂直结构LED及其形成方法。所述集成DBR的垂直结构LED包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；第一DBR层，位于所述导电衬底的所述第一表面上；外延层，位于所述第一DBR层上，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于集成DBR层的垂直结构LED发射的光线的波长；第二DBR层，位于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。本发明专利技术在LED器件内部形成谐振腔，显著提升电光转换效率，实现了对LED器件发光品质的改善。

Vertical structure LED integrated with DBR and its forming method

【技术实现步骤摘要】
集成DBR的垂直结构LED及其形成方法
本专利技术涉及照明、显示和光通信
，尤其涉及一种集成DBR的垂直结构LED及其形成方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有体积小、效率高、寿命长等优点，在照明、显示和光通信领域具有广泛的应用前景。传统的发光二极管以蓝宝石为生长衬底。然而，由于蓝宝石衬底不导电，所以传统的发光二极管通常是采用电极在同一侧的横向结构。这种横向结构至少存在以下两个方面的缺点：一方面，电流在N型层中横向流动不等距，存在电流拥堵现象，导致发光二极管器件局部发热量较高，影响器件性能；另一方面，蓝宝石衬底的导热性较差，限制了发光二极管器件的散热，影响发光二极管器件的使用寿命。为了克服横向发光二极管器件的缺陷，现有技术中出现了垂直结构发光二极管。然而，在现有的垂直结构发光二极管中，由于厚膜的限制，存在许多光学约束模式(ConfinedMode)。当电子注入、垂直结构发光二极管发光时，大部分出射光会被限制在发光二极管外延层的厚膜中，造成膜内传输、吸收，极大的降低了发光二极管的出光效率。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，包括：/n导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；/n第一DBR层，位于所述导电衬底的所述第一表面上；/n外延层，位于所述第一DBR层上，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于集成DBR的垂直结构LED发射的光线的波长；/n第二DBR层，位于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，包括：
导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
第一DBR层，位于所述导电衬底的所述第一表面上；
外延层，位于所述第一DBR层上，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于集成DBR的垂直结构LED发射的光线的波长；
第二DBR层，位于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。


2.根据权利要求1所述的集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，在沿所述导电衬底指向所述第一DBR层的方向上，所述外延层包括：
第二接触层，位于所述导第一DBR层表面；
电子阻挡层，位于所述第二接触层表面；
量子阱层，位于所述电子阻挡层表面；
超晶格层，位于所述量子阱层表面；
第一接触层，位于所述超晶格层表面。


3.根据权利要求2所述的集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，还包括：
金属键合层，位于所述导电衬底的所述第一表面；
金属反射层，位于所述金属键合层表面，所述第一DBR层位于所述金属反射层表面，且所述金属反射层沿垂直于所述导电衬底的方向贯穿所述第一DBR层，以与所述第二接触层电性接触；
第一电极，所述第一电极沿垂直于所述导电衬底的方向贯穿所述第二DBR层，以与所述第一接触层电性接触；
第二电极，位于所述导电衬底的所述第二表面上。


4.根据权利要求3所述的集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，所述金属反射层、所述第一电极和所述第二电极的材料均为镍、金、银中的一种或两种以上的组合。


5.一种集成DBR的垂直结构LED的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成初始外延层和第一DBR层于一生长衬底表面，所述第一DBR层位于所述初始外延层背离所述生长衬底的表面，所述初始外延层包括沿垂直于所述生长衬底的方向依次叠置的缓冲层、初始第一接触层、量子阱层和第二接触层；
形成一导电衬底，所述导电衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
以所述第一表面朝向所述第一DBR层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永进，
申请(专利权)人：南京亮芯信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32