具有反射性侧壁的发光器件制造技术

本发明专利技术的实施例包括一种发光器件，包括衬底和包含发光层的半导体结构。第一反射性层围绕发光器件。波长转换元件设置在发光器件之上。第二反射性层邻近波长转换元件的第一侧壁设置。

Light emitting devices with reflective sidewalls

【技术实现步骤摘要】
具有反射性侧壁的发光器件
本专利技术涉及具有反射性侧壁的发光器件。
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可得到的最高效的光源之一。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中，当前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，其还被称为III氮化物材料。典型地，III氮化物发光器件通过以下来制作：通过金属-有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物或其它合适衬底上外延生长不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠。堆叠通常包括形成在衬底之上的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、形成在一个或多个n型层之上的有源区中的一个或多个发光层、以及形成在有源区之上的掺杂有例如Mg的一个或多个p型层。电气接触件形成在n和p型区上。其中大部分光通过器件的顶部提取的LED可以通过在器件的侧面周围模制反射性材料来形成，以防止光从侧面逸出。模制在图1中图示，其在US2011/0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n发光器件，包括衬底和包含发光层的半导体结构；/n围绕发光器件的第一反射性层；/n设置在发光器件之上的波长转换元件；以及/n邻近波长转换元件的第一侧壁设置的第二反射性层。/n

【技术特征摘要】
20140109 US 61/9253281.一种器件，包括：
发光器件，包括衬底和包含发光层的半导体结构；
围绕发光器件的第一反射性层；
设置在发光器件之上的波长转换元件；以及
邻近波长转换元件的第一侧壁设置的第二反射性层。


2.权利要求1所述的器件，其中第一反射性层的顶表面不高于衬底的顶表面。


3.权利要求1所述的器件，其中波长转换元件与发光器件分离地形成并且通过粘合剂附连到发光器件。


4.权利要求1所述的器件，其中没有反射性层覆盖波长转换元件的第二侧壁。


5.权利要求1所述的器件，其中第二反射性层布置成使得朝向第一侧壁发射的大部分光被反射到波长转换元件中并且朝向波长转换元件的第二侧壁发射的大部分光从波长转换元件而提取。


6.权利要求1所述的器件，其中第一反射性层是至少95%反射性的。


7.权利要求1所述的器件，其中：
第一反射性层包括设置在透明模制化合物中的反射性颗粒；并且
第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：AD施里克，KK麦，BJ莫兰，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL