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本发明提供一种共阴极LED芯片及其制作方法，芯片包括p型半导体层、发光层、n型半导体层、凹槽、连接层、透明导电层、量子点层及保护层，凹槽贯穿n型半导体层、发光层及p型半导体层，以隔离出多个LED单元，连接层横跨于凹槽上，其两端分别与相邻两L...
该专利属于东莞市中晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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