封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法，所述封装片被覆半导体元件的制造方法包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件；以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆多个半导体元件、并且在相互邻接的半导体元件间形成空间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，所述封装片被覆半导体元件的制造方法包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件；以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆多个半导体元件、并且在相互邻接的半导体元件间形成空间。【专利说明】
本专利技术涉及，详细而言，涉及封装片被覆半导体元件的制造方法、由此得到的封装片被覆半导体元件、使用其的半导体装置的制造方法以及由此得到的半导体装置。
技术介绍
作为制造具备光半导体元件的光半导体装置或者具备电子元件的电子装置的方法，已知有如下方法:首先，在基板上安装多个半导体元件(光半导体元件或者电子元件)，接着，以被覆多个半导体元件的方式设置封装层。尤其在光半导体元件以及半导体装置分别为LED以及LED装置时，在多个LED之间，发射波长、发光效率会产生偏差，因此在这样的安装有LED的LED装置中，存在多个LED之间发光会产生偏差的不良情况。为了消除上述不良情况，进行了例如如下研究:在用荧光体层被覆多个LED制作荧光体层被覆LED后，根据发射波长、发光效率筛选荧光体层被覆LED，然后在基板上进行安装。提出了通过例如以下方式得到的芯片部件:在石英基板上隔着粘合片贴附芯片，接着，自芯片上方以接触石英基板的上表面的方式涂布树脂，制作由用树脂被覆的芯片形成的伪晶片(pseudo wafer)，然后，将伪晶片自石英基板以及粘合片剥离之后，通过以芯片为单位的方式切割伪晶片、进行单片化，从而得到芯片部件(例如参照日本特开2001-308116号公报)。日本特开2001-308116号公报的芯片部件之后被安装在基板上，由此得到半导体装置。
技术实现思路
然而，根据目的以及用途的不同，在芯片上涂布的树脂有时较硬，此时，芯片会在石英基板的面方向上遭受到来自以接触石英基板的上表面的方式涂布的树脂的巨大的应力。于是，芯片会产生自石英基板上最初设定的预定位置偏移的位置偏移(芯片偏移)，由此，切割后封装芯片的树脂的尺寸会产生巨大的偏差。其结果，存在半导体装置中的各种特性会产生偏差的不良情况。尤其是在使用将树脂成形为片状而得到的树脂片被覆芯片时，上述的芯片偏移变得明显。本专利技术的目的在于提供能够抑制半导体元件的位置偏移的封装片被覆半导体元件的制造方法、由此得到的封装片被覆半导体元件、使用其的半导体装置的制造方法以及由此得到的半导体装置。本专利技术的封装片被覆半导体元件的制造方法的特征在于，其包括如下工序:半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件；以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆前述多个半导体元件、并且在相互邻接的前述半导体元件间形成空间。在本专利技术中，对封装片进行配置，以使其被覆多个半导体元件、并且在相互邻接的半导体元件间形成空间，因此在封装片与多个半导体元件接触时，可以将由封装片向多个半导体元件施加的应力释放到空间中。因此，可以降低由封装片向多个半导体元件施加的应力。其结果，可制造半导体元件的位置偏移得到抑制的封装片被覆半导体元件。此外，在本专利技术的封装片被覆半导体元件的制造方法中，适宜的是，前述封装片使相互相对的前述半导体元件的相对面的一部分露出。根据本专利技术，相互相对的半导体元件的相对面的一部分露出，因此可确实地形成上述空间。此外，在本专利技术的封装片被覆半导体元件的制造方法中，前述半导体元件优选为光半导体元件，进而，前述光半导体元件优选为LED，此外，前述封装片优选为含有荧光体的荧光体片。根据本专利技术，由于通过含有荧光体的荧光体片来被覆光半导体元件，因此可以通过荧光体片对自光半导体元件发出的光的波长进行转换、发出高能量的光。此外，本专利技术的封装片被覆半导体元件的特征在于，其是通过上述封装片被覆半导体元件的制造方法得到的。本专利技术的封装片被覆半导体元件由于会抑制半导体元件的位置偏移，因此尺寸偏差得到抑制。由此，可确保稳定的特性。此外，本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，其包括如下工序:准备上述封装片被覆半导体元件的工序；以及，将前述封装片被覆半导体元件的半导体元件安装在基板上、或将多个半导体元件预先安装在基板上的工序。本专利技术的半导体装置的制造方法包括准备稳定的特性得到确保的封装片被覆半导体元件的工序，因此能够制作具有稳定的特性的半导体装置。此外，本专利技术的半导体装置的特征在于，其是通过上述半导体装置的制造方法得到的。本专利技术的半导体装置能够确保稳定的特性。根据本专利技术的半导体装置的制造方法，可以制造半导体元件的位置偏移得到抑制的封装片被覆半导体元件。本专利技术的封装片被覆半导体元件能够确保稳定的特性。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的封装片被覆半导体元件的制造方法以及半导体装置的制造方法的第I实施方式的工序图，图1的(a)表示准备支撑片的支撑片准备工序；图1的(b)表示将LED配置在支撑片的上表面的LED配置工序；图1的(C)表示对荧光体片进行配置，以使其被覆LED并且在相互邻接的LED间形成空间的荧光体片配置工序；图1的(d)表示利用荧光体片封装LED的上部的LED封装工序，以及切断荧光体片的切断工序；图1的(e)表示将荧光体层被覆LED从支撑片剥离的LED剥离工序；图1的(e’)是对在图1的(e)的LED剥离工序中使用拾取装置从粘合层剥离荧光体层被覆LED的状态进行详细说明的工序图；图1的(f )表示在基板上安装荧光体层被覆LED的安装工序。图2表示在图1的(a)中示出的支撑片的俯视图。图3是说明第I实施方式的变形例的工序图，图3的(a)表示对荧光体片进行配置，以使其被覆LED并且在相互邻接的LED间形成空间的荧光体片配置工序；图3的(b)表示利用荧光体片封装LED的上表面的LED封装工序，以及切断荧光体片的切断工序；图3的(C)表示从支撑片剥离荧光体层被覆LED的LED剥离工序；图3的(d)表示在基板上安装荧光体层被覆LED的安装工序。图4为说明第I实施方式的变形例的工序图，图4的(a)表示对荧光体片进行配置，以使其被覆LED并且在相互邻接的LED间形成空间的荧光体片配置工序；图4的(b)表示利用荧光体片封装LED的表面的LED封装工序，以及切断荧光体片的切断工序；图4的(C)表示从支撑片剥离荧光体层被覆LED的LED剥离工序；图4的(d)表示在基板上安装荧光体层被覆LED的安装工序。图5为在图1的(e)以及图1的(e’)中示出的LED剥离工序的变形例，其表示对未单片化的多个荧光体层被覆LED进行剥离的变形例。图6为表示本专利技术的封装片被覆半导体元件的制造方法以及半导体装置的制造方法的第2实施方式的工序图，图6的(a)表示准备支撑片的支撑片准备工序；图6的(b)表示将LED配置在支撑片上的LED配置工序；图6的(C)表示对荧光体片进行配置，以使其被覆LED并且在相互邻接的LED间形成空间的荧光体片配置工序；图6的(d)表示利用荧光体片封装LED的上部的LED封装工序，以及切断荧光体片的切断工序；图6的(e)表示从支撑片剥离荧光体层被覆LED的LED剥离工序；图6的(f )表示在基板上安装荧光体层被覆LED的安装工序。图7为表示在图6的(a)中示出的支撑片的俯视图。图8为表示本专利技术的封装片被覆半导体元件的制造方法以及半导体装置的制造方法的第3实施方式的工序图，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装片被覆半导体元件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件，以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆所述多个半导体元件、并且在相互邻接的所述半导体元件间形成空间。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山博之，近藤隆，江部悠纪，三谷宗久，大薮恭也，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP