晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片的加工方法，针对在背面形成有绝缘膜的晶片，在短时间内在适当的位置形成适当的改性层。本发明专利技术的晶片的加工方法是在背面（13）形成有绝缘膜（15）的晶片（W）的加工方法，具有：绝缘膜除去工序，通过切削刀具（22）从晶片的背面沿着分割预定线（14）除去绝缘膜，形成切削槽（25）；改性层形成工序，沿着切削槽（25）照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，在晶片的内部形成有改性层（35）；以及分割工序，通过磨削动作对改性层（35）施加外力，以改性层为分割起点分割成一个个器件芯片，切削槽（25）的槽底（26）是这样的结构：平坦且表面粗糙度Ra在0.1μm以下，具有激光点直径以上的宽度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，针对在背面形成有绝缘膜的晶片，在短时间内在适当的位置形成适当的改性层。本专利技术的是在背面（13）形成有绝缘膜（15）的晶片（W）的加工方法，具有：绝缘膜除去工序，通过切削刀具（22）从晶片的背面沿着分割预定线（14）除去绝缘膜，形成切削槽（25）；改性层形成工序，沿着切削槽（25）照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，在晶片的内部形成有改性层（35）；以及分割工序，通过磨削动作对改性层（35）施加外力，以改性层为分割起点分割成一个个器件芯片，切削槽（25）的槽底（26）是这样的结构：平坦且表面粗糙度Ra在0.1μm以下，具有激光点直径以上的宽度。【专利说明】
本专利技术涉及将半导体晶片或光器件晶片分割成一个个芯片的。
技术介绍
以往，作为将晶片分割成一个个芯片的加工方法，通过激光加工来分割晶片的技术备受关注。作为该激光加工提出了这样的加工方法:照射相对于晶片具有透射性的激光光线从而在晶片内部形成脆弱的层(改性层)，并将该强度降低了的改性层作为分割起点(例如，参照专利文献I)。在专利文献I的加工方法中，沿着晶片正面的格子状的间隔道照射激光光线，在晶片的内部形成直线状的改性层。并且，通过对脆弱的改性层施加外力，而沿着改性层将晶片分割成一个个芯片。另外，当晶片的厚度变薄为数十ym以下时，激光光线透过晶片，难以在晶片内部的适当位置形成适当的改性层。因此，提出了这样的加工方法:将改性层形成到薄化前的晶片的内部，在形成改性层后将晶片磨削至成品厚度(例如，参照专利文献2)。在专利文献2的加工方法中，在成为比完成品厚度高的位置的被磨削面侧形成改性层。因此，能够在晶片内部的适当位置形成适当的改性层，由于还能够除去改性层，所以在光器件晶片的加工时提升了亮度，在半导体晶片的加工时提升了抗弯强度。现有技术文献专利文献1:日本专利第3408805号公报专利文献2:日本特开2012-49164号公报另外，在晶片的背面侧为了防止金属污染而形成有氮化膜或氧化膜等绝缘膜的情况较多，在磨削前的激光加工中，由于绝缘膜的影响，无法在晶片的内部形成适当的改性层。此时，还考虑了这样的方法:在改性层的形成前通过磨削加工从晶片的背面除去绝缘膜。在除去该绝缘膜时，为了防止磨具的气孔堵塞需要按粗磨削、精磨削、研磨的顺序进行加工，由于在改性层形成后薄化晶片时也需要同样的加工，所以存在加工时间增大这一问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的方面而完成的专利技术，其目的在于提供一种，能够针对在背面形成有绝缘膜的晶片，在短时间内在适当的位置形成适当的改性层。本专利技术的，是在正面在由分割预定线划分出的多个区域形成有器件且在背面形成有绝缘膜的，上述的特征在于，具有:绝缘膜除去工序，从晶片的背面侧沿着上述分割预定线利用切削刀具形成具有平坦的槽底的切削槽，沿着上述分割预定线除去绝缘膜；改性层形成工序，在实施了上述绝缘膜除去工序后，从晶片的背面以上述切削槽为基准完成校准，将对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点从上述切削槽定位到晶片正面附近的内部，并沿着上述切削槽进行照射，在晶片正面附近的内部形成改性层；以及分割工序，在实施了上述改性层形成工序后，从晶片的背面利用磨削构件来进行磨削从而薄化为成品厚度，并且通过磨削动作以上述改性层为起点沿着上述分割预定线分割晶片，上述切削槽中，上述平坦的槽底的表面粗糙度是0.1 μ m以下，上述平坦的槽底的宽度在形成于上述槽底的激光点的直径以上。根据该结构，通过利用切削刀具从晶片的背面沿着分割预定线除去绝缘膜，在晶片的背面形成有具有平坦的槽底的切削槽。另外，通过以穿过切削槽的方式照射激光光线，能够不受绝缘膜的影响地在晶片的内部形成改性层。此时，由于切削槽的表面粗糙度是0.1ym以下，槽底的宽度具有激光点直径以上的宽度，所以能够抑制槽底处的激光光线的散射。因此，能够在晶片内部的适当位置形成适当的改性层，并沿着分割预定线良好地分割晶片。另外，由于通过切削刀具从晶片的背面部分地除去绝缘膜，所以与通过磨削加工从晶片的背面整体除去绝缘膜的结构相比能够缩短加工时间。根据本专利技术，通过切削刀具在晶片的背面形成平坦且表面粗糙度小的切削槽，经切削槽将激光光线照射到晶片的内部，由此针对在背面形成有绝缘膜的晶片，能够在短时间内在适当的位置形成适当的改性层。【专利附图】【附图说明】图1A和图1B是表示本实施方式的绝缘膜除去工序的一个示例的图。图2是表不本实施方式的改性层形成工序的一个不例的图。图3A和图3B是表不本实施方式的分割工序的一个不例的图。标号说明11 器件12晶片的正面13晶片的背面14分割预定线15绝缘膜22切削刀具25切削槽26 槽底35改性层42磨削构件W 晶片【具体实施方式】以下，对本实施方式的进行说明。关于本实施方式的，针对在背面形成有绝缘膜的晶片实施基于切削装置的绝缘膜除去工序、基于激光加工装置的改性层形成工序、以及基于磨削装置的分割工序。在绝缘膜除去工序中，利用切削刀具沿着分割预定线除去形成于晶片背面的绝缘膜。通过基于该切削刀具的切削加工在晶片背面沿着分割预定线形成具有平坦且表面粗糙度小的槽底的切削槽。在改性层形成工序中，通过激光加工在晶片的内部形成沿着分割预定线的改性层。在该激光加工中，使相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点从切削槽定位到晶片正面附近的内部，沿着切削槽照射激光光线。由此，不会使绝缘膜阻碍激光光线的照射而在晶片的内部形成沿着分割预定线的改性层。在分割工序中，通过磨削构件使晶片薄化为成品厚度，并且以改性层为起点通过磨削动作沿着分割预定线来分割晶片。以下，对本实施方式的的详情进行说明。参照图1，对绝缘膜除去工序进行说明。图1是表示本实施方式的绝缘膜除去工序的一个示例的图。另外，在本实施方式中，作为通过一次切削加工而形成切削槽的结构不限于该结构。例如，也可以根据晶片的材质等使用粒径不同的刀具分多个阶段地形成切削槽。另外，图1A表示晶片的背面朝上的状态。如图1A所示，晶片W构成为在硅、砷化镓等半导体基板上配设有多个器件11。晶片W形成为大致圆板状，并通过排列在正面12的格子状的分割预定线14划分出多个区域。在各区域中形成有IC (集成电路)、LSI (大规模集成电路)等器件11。在晶片W的背面13为了防止铜等的侵入造成的金属污染而形成有氮化膜或氧化膜等绝缘膜15。另外，在晶片W的外缘形成有表示结晶方位的凹口 16。另外，晶片W不限于半导体晶片，绝缘膜15不限定于金属污染防止用的氮化膜或氧化膜等。晶片W也可以是在陶瓷、玻璃、蓝宝石系的无机材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。另外，绝缘膜15只要是形成于晶片W的背面13的膜即可，例如也可以由树脂膜构成。如图1B所示，在绝缘膜除去工序中，在晶片W的正面12粘贴有保护带17，在背面13朝向上方的状态下将晶片W搬入到切削装置(未图示)。搬入切削装置的晶片W经保护带17保持在卡盘工作台21上。另外，将切削刀具22定位至晶片W的分割预定线14，通过高速旋转的切削刀具22从背面13侧切入晶片W。并且，使切削刀具22相对于晶片W相对移动，由此沿着分割预定线14从晶片W的背面13除去绝缘膜15。由此，在晶片W的背面13形成了具有平坦的槽底26本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，是在正面在由分割预定线划分出的多个区域形成有器件且在背面形成有绝缘膜的晶片的加工方法，上述晶片的加工方法的特征在于，具有：绝缘膜除去工序，从晶片的背面侧沿着上述分割预定线利用切削刀具形成具有平坦的槽底的切削槽，沿着上述分割预定线除去绝缘膜；改性层形成工序，在实施了上述绝缘膜除去工序后，从晶片的背面以上述切削槽为基准完成校准，将对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点从上述切削槽定位到晶片正面附近的内部，并沿着上述切削槽进行照射，在晶片正面附近的内部形成改性层；以及分割工序，在实施了上述改性层形成工序后，从晶片的背面利用磨削构件来进行磨削，薄化为成品厚度，并且通过磨削动作，以上述改性层为起点沿着上述分割预定线分割晶片，上述切削槽中，上述平坦的槽底的表面粗糙度是0.1μm以下，上述平坦的槽底的宽度在形成于上述槽底的激光点的直径以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP