【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法,包括:在衬底上形成硬掩膜层;光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形;以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽;在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层,其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差;在绝缘层上形成共形的保护层;化学机械平坦化绝缘层以及保护层,直至露出硬掩膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何卫,朱慧珑,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。