提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法技术

技术编号:9296472 阅读:225 留言:0更新日期:2013-10-31 00:51
本发明专利技术提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法,包括以下步骤:在衬底上形成特征;在特征之间形成第一介质隔离层;平坦化第一介质隔离层,直至暴露特征,使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度;在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层,降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差;平坦化第二介质隔离层,直至暴露特征。依照本发明专利技术的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法,在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层,使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低,并补偿了特征的凹陷,有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法,包括步骤:在衬底上形成特征;在特征之间形成第一介质隔离层;平坦化第一介质隔离层,直至暴露特征,使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度;在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层,降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差;平坦化第二介质隔离层,直至暴露特征。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨涛赵超李俊峰侯瑞兵卢一泓崔虎山
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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