【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种防止硅衬底表面损伤的方法，应用于离子注入工艺中，所述硅衬底的上表面覆盖一具有缺陷的保护层，其特征在于，所述方法包括：采用修复性溶液对所述保护层进行修复，以去除所述缺陷；对所述硅衬底继续进行所述离子注入工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王恺，陈宏璘，龙吟，倪棋梁，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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