密封环及防止芯片于切割时损伤的方法技术

本发明专利技术提供了一种密封环及防止芯片于切割时损伤的方法，所述密封环包括多层金属层，其中至少一层所述金属层上设置有多个贯穿所述金属层的金属槽。本发明专利技术中位于金属层上的金属槽不仅可减小电流集边效应，同时还可以缓解金属层与金属间电介质层的膨胀系数之差，减小应力。此外，所述密封环还包括位于最外层的钝化层，所述钝化层上开设有一贯穿钝化层的开口。本发明专利技术中于钝化层上设置一开口，从而可避免切割时产生的裂纹传递到芯片表面的钝化膜上，进而能够防止在芯片中引入裂纹。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种密封环及防止芯片于切割时损伤的方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，通常是将晶圆切割成一个个芯片，然后将这些芯片做成功能不同的半导体封装结构。于芯片外围通常设置有密封环(Seal Ring)，所述密封环是由多个金属层及位于金属层之间的金属间电介质层(ILD)按一定规则组成的。该密封环可防止静电对芯片内的集成电路造成影响，以及防止水汽或其他污染性、腐蚀性的因子进入集成电路等功能，同时，密封环也用于在进行晶圆切割时，增加芯片内部的层间粘结力、防止边缘破裂往内延伸。但是，密封环阻碍机械损伤的强度不够大，不足以抵挡住热应力释放带来的破坏，裂缝很可能穿过密封环延伸至有效芯片区域，不能从根本上有效解决晶圆切割过程中带来的边缘破裂。尤其的，随着半导体器件性能的进步，为改善信号传输延迟和串扰的问题，同时为降低寄生电容，已经开始使用与SiO2相比具有较低相对介电常数的“低K膜(低介电常数绝缘膜)”。在密封环中，通常也使用“低K膜”作为金属间电介质层，但是由于“低K膜”材料的杨氏模量小，热膨胀系数大，导致其抵抗形变的能力差，因此很容易在切割过程中在切割边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封环，所述密封环包括堆叠设置的多层金属层，其特征在于：至少一层金属层上设置有多个贯穿所述金属层的金属槽。

【技术特征摘要】
1.一种密封环，所述密封环包括堆叠设置的多层金属层，其特征在于：至少一层金属层上设置有多个贯穿所述金属层的金属槽。2.如权利要求1所述的密封环，其特征在于：所述密封环还包括位于相邻金属层之间的金属间电介质层。3.如权利要求2所述的密封环，其特征在于：所述金属间电介质层为低介电常数绝缘膜。4.如权利要求3所述的密封环，其特征在于：所述金属间电介质层为氟掺杂的氧化硅。5.如权利要求4所述的密封环，其特征在于：所述氟掺杂的氧化硅采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成。6.如权利要求1所述的密封环，其特征在于：在所述多层金属层中，位于最顶部的金属层的宽度大于其它金属层的宽度，所述宽度是指金属层平行于芯片表面方向的宽度。7.如权利要求1所述的密封环，其特征在于：所述密封环还包括位于多层金属层中最顶部的金属层之上的钝化层。8.如权利要求7所述的密封环，其特征在于：所述钝化层的材质为氮化硅。9.如权利要求7所述的密封环，其特征在于：所述钝化层上开设有一贯穿所述钝化层的开口。10.如权利要求9...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，曹子贵，王卉，徐涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31