本发明专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。本发明专利技术涉及要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm‑3μm范围内，其中相对于100重量份有机树脂组分无机填料的量为5～95重量份，并且，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜形成在压敏粘合剂层的整个表面上。
【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2011年6月30日，申请号为201110184582.X，专利技术名称为“倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜”的申请的分案申请。
本专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面并且提高半导体元件的强度。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将半导体元件如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。专利文献1：JP-A-2008-166451专利文献2：JP-A-2008-006386专利文献3：JP-A-2007-261035专利文献4：JP-A-2007-250970专利文献5：JP-A-2007-158026专利文献6：JP-A-2004-221169专利文献7：JP-A-2004-214288专利文献8：JP-A-2004-142430专利文献9：JP-A-2004-072108专利文献10：JP-A-2004-063551然而，用保护膜保护半导体芯片背面需要将保护膜粘贴至在切割步骤中获得的半导体芯片的背面的额外步骤。结果，处理步骤的数量增加并且生产成本由此增加。近年来，半导体器件薄型化的趋势通常带来半导体芯片在将其拾取的步骤中被损害的问题。因此，为了提高半导体晶片和半导体芯片的机械强度的目的，需要在拾取步骤前将其补强。迄今为止，被拾取的半导体芯片不直接安装在被粘物上，而是在一些情况下曾经使用贮存用构件来贮存。作为所述贮存用构件，可使用包括以下的结构：具有电子部件收纳凹部(例如，孔)的基体和用于覆盖所述电子部件收纳凹部的普通覆盖带。然而，在通过使用贮存用构件贮存已经将上述半导体芯片背面用保护膜粘贴至其的半导体芯片的情况下，所述半导体芯片背面用保护膜和贮存用构件可能通常粘着在一起(彼此粘合)以致具有粘贴至其的半导体芯片背面用保护膜的半导体芯片不能从贮存用构件取出。
技术实现思路
考虑到前述问题已经作出本专利技术并且其目的是提供倒装芯片型半导体背面用膜和提供半导体背面用切割带集成膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜能够保护半导体元件并且利用其半导体元件能够从贮存用构件容易地取出。为了解决上述问题，本专利技术人已经进行了勤勉地研究，结果，已经发现，当半导体背面用膜形成于半导体元件背面上时并且当将所述膜在不面向所述半导体元件背面侧上的面的表面粗糙度(Ra)在固化前控制为落入预定范围内时，则所述膜难以粘着(粘合)至贮存用构件，已经完成本专利技术。即，本专利技术提供了一种要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于半导体元件背面上时，所述膜在其不面向半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm范围内。当本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜形成于半导体元件背面上时，其发挥保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的功能。根据本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于半导体元件背面上时，所述膜在其不面向半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前落入50nm-3μm的范围内。因此，当将上述倒装芯片型半导体背面用膜已经粘贴至其的半导体元件贮存在贮存用构件中时，所述形成于所述半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜在其贮存期间防止粘着或粘合至贮存用构件，并且当半导体元件从贮存用构件取出时，其能够容易地取出。此处，所述半导体元件背面是指与其上形成电路的表面相对的表面。优选地，所述倒装芯片型半导体背面用膜的厚度落入2μm-200μm的范围。当所述厚度为至少2μm时，则能够提高所述膜的机械强度并且所述膜能够确保良好的自支持性(self-sustainability)。另一方面，当所述厚度为至多200μm时，可以将包括倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的半导体器件薄型化。所述半导体元件的厚度优选落入20μm-300μm的范围。本专利技术还提供半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带和层压在所述切割带上的上述倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述切割带包括基材(base material)和层压在所述基材上的压敏粘合剂层，并且所述倒装芯片型半导体背面用膜层压在所述压敏粘合剂层上。根据具有如上所述构造的半导体背面用切割带集成膜，将所述切割带和倒装芯片型半导体背面用膜集成，因此该类型的切割带集成膜可以用于切割半导体晶片从而生产半导体元件的切割步骤和随后的拾取步骤。即，当在切割步骤之前将切割带粘贴至半导体晶片背面时，所述半导体背面用膜也可以同时粘合至其，因此，不需要仅将半导体背面用膜粘合至半导体晶片的步骤(半导体背面膜粘合步骤)。结果，可以减少处理步骤的数量。而且，由于半导体背面用膜保护半导体晶片的背面和通过切割形成的半导体元件的背面，所以在切割步骤和随后步骤(例如，拾取步骤)期间可以防止或减少半导体元件的损坏。结果，可以增加要生产的倒装芯片型半导体器件的生产率。当本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述半导体元件背面上时，其发挥保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的功能。当本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述半导体晶片背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm的范围内。因此，当将上述倒装芯片型半导体背面用膜已经粘贴至其的半导体元件贮存在贮存用构件中时，防止形成于半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜在其贮存期间粘着或粘合至贮存用构件，并且当将半导体元件从贮存用构件取出时，其能够容易地取出。根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜，将切割带和倒装芯片型半导体背面用膜集成，因此该类型的切割带集成膜可以用于切割半导体晶片从而生产半导体元件的切割步骤和随后的拾取步骤。因此，不需要仅将半导体背面用膜粘合至半导体晶片的步骤(半导体背面膜粘合步骤)。而且，在随后的切割步骤和拾取步骤中，由于半导体背面用膜粘合至半导体晶片背面和通过切割形成的半导体元件背面，由此可以有效地保护半导体晶片和半导体元件并且可以防止半导体元件被损坏。附图说明图1为示出本专利技术的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的截面示意图。图2A-2D为示出使用本专利技术的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的截面示意图。附图标记说明1 半导体背面用切割带集成膜2 半导体背面用膜3 切割带31 基材32 压敏粘合剂层33 对应于半导体晶片粘合部分的部分4 半导体晶片5 半导体芯片51 在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块(bump)6 被粘物61 粘合至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电性材料具体实施方式参考图1描述本专利技术的实施方案，但本专利技术不限于这些实施方案。图1为示出根据本实施方案的半导体背面用切割带集成膜的截面示意图。此外，在本说明书本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm‑3μm范围内，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含有机树脂组分以及无机填料，其中相对于100重量份有机树脂组分无机填料的量为5～95重量份，并且，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜形成在压敏粘合剂层的整个表面上。
【技术特征摘要】
2010.07.20 JP 2010-1630941.一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm范围内，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含有机树脂组分以及无机填料，其中相对于100重量份有机树脂组分无机填料的量为5～95重量份，并且，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜形成在压敏粘合剂层的整个表面上。2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在2μm-200μm范围内的厚度。3.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背...
【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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