减薄器件层的方法以及衬底的制备方法技术

本发明专利技术一种减薄器件层的方法以及衬底的制备方法，所述减薄器件层的方法，包括如下步骤：提供一复合衬底，所述复合衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层；采用热氧化法在器件层和支撑层表面形成相同厚度的第一和第二热氧化层；采用单面研磨法减薄器件层表面的第一热氧化层至预定厚度；同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层全部被除去，而支撑层表面保留有减薄后的第二热氧化层。本发明专利技术的优点在于，仅采用了一步热氧化工艺，既达到了降低器件层厚度的目的，又同时在支撑层表面形成了用来调节厚度的第二热氧化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种。
技术介绍
以SOI (Silicon On Insulator,绝缘体上的娃)材料为代表的带有绝缘埋层的半导体衬底材料正越来越成为业界关注的重点。传统的键合SOI材料的生产工艺是在支撑衬底(Handle Wafer)上热生长氧化层，再与另一片器件衬底(Device Wafer)正面键合加固， 最后对器件衬底进行减薄，形成SOI材料。现有技术的缺点在于，支撑衬底受硅片加工技术限制，很难做到400 μ m以下的厚度，并且支撑衬底与器件衬底的减薄及平坦化成为技术关键瓶颈，往往器件衬底减薄形成的顶层半导体层的均匀性最佳只能做到±0.5μπι的水平，且良率较低，无法突破 + 0. 3 μ nio
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种，可以提高顶层半导体层的厚度均匀性。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种减薄器件层的方法，包括如下步骤提供一复合衬底，所述复合衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层； 采用热氧化法在器件层和支撑层表面形成相同厚度的第一和第二热氧化层；采用单面研磨法减薄器件层表面的第一热氧化层至预定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减薄器件层的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一复合衬底，所述复合衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层；采用热氧化法在器件层和支撑层表面形成相同厚度的第一和第二热氧化层；采用单面研磨法减薄器件层表面的第一热氧化层至预定厚度；同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层全部被除去，而支撑层表面保留有减薄后的第二热氧化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文宇，陈国兴，曹共柏，魏星，郑健，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：