【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，尤其涉及一种应用应力临近技术(Stress Proximity Technology, SPT)。
技术介绍
随着半导体工艺生产过程中晶体管的尺寸不断缩小，晶体管元件工作需要的电压和电流不断降低，晶体管开关的速度也随之加快，随之对半导体工艺各方面要求大幅提高。为提高半导体器件的性能，为提高CMOS晶体管等半导体器件的性能，业界引入应力记忆技术。应力记忆技术通过在半导体衬底的沟道中引入应力，以使半导体器件的性能得到 改善，通过应力改善器件性能的工艺已经成为半导体领域常见的技术手段。现有技术中应力记忆技术包括在半导体器件上方沉积应力层(例如氮化层等)，接着，进行高温退火工艺以使应力被记忆在半导体器件上，在应力被记忆在栅极多晶硅或扩散区或半导体衬底的有源区后去除应力层。从而运用应力改变半导体衬底的晶格结构，从而改进电子或空穴的迁移率，提高了器件整体的性能。尤其CMOS晶体管中的NMOS晶体管，应力记忆技术在纵向方向上施加应力(即压应力时)，可以提闻NMOS晶体管的电子迁移率，提闻NMOS晶体管驱动电流(Idrive)，进而提高N...
【技术保护点】
一种应用应力临近技术的半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极；在所述栅极侧壁上形成栅极侧墙，所述栅极侧墙包括氧化层和位于氧化层侧壁的氮化层，所述氮化层的材质为掺硼氮化硅或掺磷氮化硅；在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区；在所述栅极、所述源极区及漏极区上形成金属硅化物层；利用等离子体刻蚀去除全部或部分所述氮化层；在所述半导体衬底上覆盖应力层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟晓莹，韩秋华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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