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本发明揭露了一种应用应力临近技术的半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极；在所述栅极侧壁上形成栅极侧墙，所述栅极侧墙包括氧化层和位于氧化层外的氮化层，所述氮化层的材质为掺硼氮化硅或掺磷氮化硅；在所述栅极两侧...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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