一种掩膜版制造技术

技术编号:9794167 阅读:123 留言:0更新日期:2014-03-21 15:09
本发明专利技术公开了一种掩膜版,应用于新产品的研发工艺中,该掩膜版上具有若干掩膜单元,每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形,任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。采用本发明专利技术的掩膜版,曝光时可通过截取不同的掩膜单元并拼接在一个曝光区上,然后一起曝在硅片上,从而硅片上即包括刻蚀需要的图形尺寸,其图形的透过率也可与最终的掩膜版达到一致,可使研发出来的新的刻蚀工艺能够在新产品上直接进行使用,从而提高了研发的效率,并较大的减少了研发的周期,进而节约了研发的成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版上具有若干掩膜单元,每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形,且任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:闵金华戴韫青王剑
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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