一种掩膜板组和标记实体台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种掩膜板组和标记实体台。掩膜板组包括：第一掩膜板，包括第一标记图案；第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，第二标记图案的线宽为第二掩膜板待测线宽的宽度；第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积；当第一掩膜板和第二掩膜板对位时，第一标记图案与第二标记图案的中心重叠。本实用新型专利技术，对于既需要进行对位测量，也需要进行线宽测量的层，在该层掩膜板上通过一个标记图案实现对位和线宽测量，降低了标记制作的复杂度及成本，减化了测量程序，便于对位精度监测和线宽测量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Mask plate group and marking entity table

The utility model discloses a mask plate group and a marking entity table. The mask group includes: a first mask includes a first mark pattern; second masks, including second marker pattern from a line, line width of second mark pattern is second mask plate to be measured linewidth; geometry pattern corresponding to the first mark and the second mark pattern of the line surrounded by the similar pattern, and the first mark pattern corresponding to the geometric area is less than the second mark pattern of the line formed by the geometric area; when the first mask plate and second mask alignment, first mark pattern and the second marking pattern overlapping center. The utility model, for both the need for alignment measurement, also need to carry out the linewidth measurement layer, realize alignment and linewidth measurement by a mark pattern on the mask layer, reduces the complexity and cost reduction of the marker making, measurement procedures, for precision monitoring and linewidth measurement.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子产品
，尤其涉及一种掩膜板组和标记实体台。
技术介绍
在TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)-LCD (Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)以及其他电子产品的制造中，需要对不同层之间对位，为了衡量对位的精度，需要在Mask (掩膜)或衬底材料上设计一些对位Mark (标记)。另外，为了保证电子产品设计的线宽大小，也需要设计一些线宽测量标记进行对线宽进行监控。传统的Overlay (覆盖)对位原理是,在第一 Mask上设计一个方形对位标记(如图1所示)，在第二 Mask上设计另一个方形对位标记(如图2所示)。其中，第一 Mask上的方形对位标记的面积大于第二 Mask上的方形对位标记的面积。进行对位时，利用第一 Mask上的对位标记，经过薄膜沉积、曝光显影、刻蚀后，形成对应的薄膜实体I ;然后利用第二 Mask上的对位标记，在上述的薄膜实体上形成PR胶实体2 ;得到图3所示的对位标记实体台。如图4所不,对位测量时,测量横向偏移时可以使用公式Al= (A1B1 — A1B2) /2,测量纵向偏移时可以使用公式A2= (A2B1 — A2B2)/2。其中，A1B1、A1B2、A2B1、A2B2为偏移参数。如图5所示，为了监控某一层的线宽大小，在Mask或衬底材料上设计待监测线宽大小相同的线宽测量标记。利用显微镜的测量系统可以获得对应的线宽大小LI。对于待对位的两层，如果上层还需要进行线宽测量，现有技术需要分别设计对位标记和线宽测量标记，并分别制作对位标记实体台和线宽测量标记实体。不仅增加了标记的成本，也使得对位精度监测和线宽测量较为耗时。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种掩膜板组和标记实体台，以解决上述技术问题。本技术的目的是通过以下技术方案实现的:一种掩膜板组,包括:第一掩膜板，包括第一标记图案；第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；所述第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积；当所述第一掩膜板和所述第二掩膜板对位时，所述第一标记图案与所述第二标记图案的中心重叠。较佳地，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括:所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。在上述任一实施例基础上，较佳地，所述第一标记图案的形状为矩形，所述第二标记图案的边线所围形状为矩形；或者，所述第一标记图案的形状为正八边形，所述第二标记图案的边线所围形状为正八边形；或者，所述第一标记图案的形状为圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为圆形；或者，所述第一标记图案的形状为椭圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为椭圆形。一种标记实体台，包括:采用第一掩膜板的第一标记图案形成的第一标记实体；在所述第一标记实体上层、采用第二掩膜板的第二标记图案形成的由边线构成的第二标记实体，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；所述第一标记实体对应的几何图形与所述第二标记实体的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记实体对应的几何图形面积小于所述第二标记实体的边线所围成的几何图形面积；所述第一标记实体与所述第二标记实体的中心重叠。较佳地，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括:所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度；或者，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记实体中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。在上述任一标记实施例基础上，较佳地，所述第一标记实体的形状为矩形，所述第二标记实体中边线所围形状为矩形；或者，所述第一标记实体的形状为正八边形，所述第二标记实体的边线所围形状为正八边形；或者，所述第一标记实体的形状为圆形，所述第二标记实体的边线所围形状为圆形；或者，所述第一标记实体的形状为椭圆形，所述第二标记实体的边线所围形状为椭圆形。本技术，对于既需要进行对位测量，也需要进行线宽测量的层，在该层掩膜板上通过一个标记实现对位和线宽测量，降低了标记制作的复杂度及成本，减化了测量程序，便于对位精度监测和线宽测量。附图说明图1为现有技术中待对位的第一 Mask上的对位标记示意图；图2为现有技术中待对位的第二 Mask上的对位标记示意图；图3为现有技术中对位标记实体台示意图；图4为现有技术中对位偏移精度示意图；图5为现有技术中线宽测量标记示意图；图6为本技术提供的第一 Mask上的第一种标记结构示意图；图7为本技术提供的第二 Mask上的第一种标记结构示意图；图8为本技术提供的第一 Mask上的第一种标记和第二 Mask上的第二种标记的位置关系示意图；图9为本技术提供的一种标记中测量参数示意图；图10为本技术提供的第二种标记结构及位置关系示意图；图11为本技术提供的第三种标记结构及位置关系示意图；图12为本技术提供的第四种标记结构及位置关系示意图；图13为本技术提供的第五种标记结构及位置关系示意图。具体实施方式对于待对位的两层，将先制作在衬底材料上的一层称作下层，将后制作在衬底材料上的一层称作上层。如果上层还需要进行线宽测量，本技术提供一种标记设计结构，使得上层的对位标记和线宽测量标记由同一个标记实现，从而降低标记制作的复杂度及成本，减化测量程序，便于对位精度监测和线宽测量。下面将结合附图，对本技术实施例提供的技术方案进行详细描述。本技术实施例提供的一种设计有标记图案的Mask组,包括第一 Mask和第二Mask。其中，第一 Mask即上述的下层Mask,第二 Mask即上述的上层Mask。如图6所示，第一 Mask包括第一标记图案3 ;如图7所示，第二 Mask包括由边线构成的第二标记图案4，该第二标记图案4边线的线宽为上层Mask待测线宽的宽度。由于图6以矩形为例对标记图案进行说明，因此，第二标记图案4具体由纵向延伸的一对边线41和横向延伸的一对边线42构成。第一标记图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板组，其特征在于，包括：?第一掩膜板，包括第一标记图案；?第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度；?所述第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积；?当所述第一掩膜板和所述第二掩膜板对位时，所述第一标记图案与所述第二标记图案的中心重叠。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板组，其特征在于，包括: 第一掩膜板，包括第一标记图案； 第二掩膜板，包括由边线构成的第二标记图案，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度； 所述第一标记图案对应的几何图形与所述第二标记图案的边线所围成的几何图形为相似图案，且所述第一标记图案对应的几何图形面积小于所述第二标记图案的边线所围成的几何图形面积； 当所述第一掩膜板和所述第二掩膜板对位时，所述第一标记图案与所述第二标记图案的中心重叠。2.根据权利要求1所述的掩膜板组，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括: 所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的至少一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。3.根据权利要求1所述的掩膜板组，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具体包括: 所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中纵向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。4.根据权利要求1所述的掩膜板组，其特征在于，所述边线的线宽为所述第二掩膜板待测线宽的宽度，具 体包括: 所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的一条边线的线宽为所述第二掩膜板纵向待测线宽的宽度，所述第二标记图案中横向延伸的一对边线中的另一条边线的线宽为所述第二掩膜板横向待测线宽的宽度。5.根据权利要求1 4任一项所述的掩膜板组，其特征在于，所述第一标记图案的形状为矩形，所述第二标记图案的边线所围形状为矩形；或者， 所述第一标记图案的形状为正八边形，所述第二标记图案的边线所围形状为正八边形；或者， 所述第一标记图案的形状为圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为圆形；或者， 所述第一标记图案的形状为椭圆形，所述第二标记图案的边线所围形状为椭圆形。6.一种标记实体...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲连杰，郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：