改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法，包括步骤：1）在硅衬底上，制备隧穿氧化层；2）在隧穿氧化层上，制备氮化硅层；3）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅层进行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻挡层；4）在氮氧化硅阻挡层上，制备氮化硅陷阱层；5）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅陷阱层进行部分氧化，形成顶层高含氧氮氧化硅阻挡层。本发明专利技术可使得最终的SONOS闪存器件产品可靠性的面内均一性得到很大程度的提高；同时，对于日常工艺的控制也更直观，更为方便。

【技术实现步骤摘要】
改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法
本专利技术涉及一种改善SONOS闪存器件可靠性的方法，特别是涉及一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法。
技术介绍
SONOS闪存器件，因为具备良好的等比例缩小特性和抗辐照特性而成为目前主要的闪存类型之一。SONOS闪存器件面临的可靠性问题主要有两个:一是Endurance (电擦写持久力)特性，就是衡量SONOS闪存器件在多次编程/擦除之后，器件特性方面可能的退化；二是Data Retention (数据保持力)特性，就是SONOS闪存器件的数据保存能力。通过不断的改善以及许多新工艺的应用，SONOS闪存器件的可靠性已有了很大的提高，其中，SONOS闪存器件中氮氧化硅阻挡层对于可靠性的影响有很大的作用，其直接决定着SONOS闪存器件可靠性性能的高低。然而，在传统工艺中氮氧化硅阻挡层一般均利用队0(—氧化二氮)气体掺杂形成，但是由于N2O气体完全分解需要较高温度、同时也较不受控，因此导致ONO膜中的氮氧化硅阻挡层氧含量分布很不均匀，从而使最终的可靠性性能面内的均一性受到很大影响。同时，ONO膜中顶层的HTO高温氧化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上，制备隧穿氧化层；2）在隧穿氧化层上，制备氮化硅层；3）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅层进行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻挡层；4）在氮氧化硅阻挡层上，制备氮化硅陷阱层；5）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅陷阱层进行部分氧化，形成顶层高含氧氮氧化硅阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法，其特征在于，包括步骤: 1)在硅衬底上，制备隧穿氧化层； 2)在隧穿氧化层上，制备氮化硅层； 3)利用RadOx氧化工艺，对氮化硅层进行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻挡层； 4)在氮氧化硅阻挡层上，制备氮化硅陷阱层； 5)利用RadOx氧化工艺，对氮化硅陷阱层进行部分氧化，形成顶层高含氧氮氧化硅阻挡层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤I)中，制备隧穿氧化层的工艺为RadOx氧化工艺，其中，工艺参数为H2:1slm?30slm, O2:1slm?IOOslm,反应温度为900?1200°C，压力为 O ?25torr ； 所述隧穿氧化层的厚度为10埃?40埃。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤2)中，制备氮化硅层的方法为化学气相淀积方法，氮化娃层的厚度为20埃?60埃 其中，该化学气相淀积方法的工艺参数如下: 流量为 NH3:30sccm ?lOOsccm，SiH2Cl2:50sccm ?120sccm，反应温度为 700 ?76...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，孙勤，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：