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本发明公开了一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法，包括步骤：1）在硅衬底上，制备隧穿氧化层；2）在隧穿氧化层上，制备氮化硅层；3）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅层进行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻挡层；4）在氮氧化硅阻挡层上，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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