【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及用于改性有机电子(OE)器件中、特别是有机场效应晶体管(OFET)中的电极的方法，并涉及通过使用该方法制备的OE器件。
技术介绍
有机场效应晶体管(OFET)用于显示器件和逻辑电路中。不同的金属已经在OFET中用作源/漏电极。广泛使用的电极材料是金(Au)，然而，它的高成本和不便的加工性能已经将焦点转移到可能的替换物上，例如Ag、Al、Cr、Ni、Cu、Pd、Pt、Ni或者Ti。铜(Cu)是Au的一种可能的替换电极材料，因为它具有高电导率、相对低价并且对于常规的制造工艺来说更容易。此外，Cu早已用于半导体工业中，因此，当与已经建立的用于电极的Cu技术相结合时，由电子器件的大规模生产过程向作为新技术的有机半导体(OSC)材料的转换更容易。 然而，当使用Cu作为电极时，即作为OSC层的电荷载流子注入金属时，由于其低于大多数现代OSC材料水平的低功函数而存在缺点。DE 10 2005 005 089 Al描述了包含Cu源和漏电极的0FET，其通过在其上提供Cu氧化物层而被表面改性。然而，因为Cu在环境气氛中倾向于氧化为Cu2O并然后成为CuO并进一步成为Cu氢氧...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·詹姆斯，L·维坦，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：
国别省市：
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