【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种全硅化物金属栅的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域表面具有第一栅电极，所述第二区域表面具有第二栅电极，所述衬底表面还具有与第一栅电极顶面和第二栅电极顶面齐平的介质层；刻蚀第一区域的介质层，暴露出第一栅电极的部分侧壁；在衬底表面沉积金属层，所述金属层覆盖第一栅电极的顶面和侧壁、第二栅电极的顶面以及介质层表面；退火处理第一栅电极和第二栅电极，分别形成第一全硅化物金属栅和第二全硅化物金属栅，所述第一全硅化物金属栅的金属含量和第二全硅化物金属栅中金属含量不同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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