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一种全硅化物金属栅的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域表面具有第一栅电极，所述第二区域表面具有第二栅电极，所述衬底表面还具有与第一栅电极顶面和第二栅电极顶面齐平的介质层；刻蚀第一区域的介质层，暴露出第一栅电极...
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