有机电子器件用基板制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电子器件用基板、其制造方法以及有机电子装置。本发明专利技术的示例性基板，例如，当在该基板的上部上形成有机发光二极管时，即使在所述器件以大面积构成时能够有效地调整电极的表面电阻，由此能够确保优异的发光亮度和发光均匀度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电子器件用基板
本专利技术涉及一种有机电子器件用基板、其制造方法、以及有机电子器件。
技术介绍
有机电子器件(0ED ；Organic Electronic Device)是指通过电极和有机物之间的电荷交换来发挥各种功能的器件，例如包括有机发光二极管(0LED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)或者有机晶体管等。电极特性在有机电子器件中是非常重要的。例如，用于照明的有机发光二极管，通常由具有一边的长度为5cm或者以上的发光面积的像素(pixel)构成。由于具有这种大发光面积，因此如果电极的表面电阻大，则电子或者空穴在整个面积上不能均匀地注入，由此产生发光斑点，从而不能在整个发光区域得到均匀的亮度。通常，有机电子器件包括两个电极，其中至少一个电极由透明电极构成，使得可以进行光的提取或入射。然而，尤其为确保透明性，透明电极不能过度增加厚度，从而使调整表面电阻变得更难。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种有机电子器件用基板、其制造方法、以及有机电子器件。解决课题的方法本专利技术例示的有机电子器件用基板可以包括:衬底；粘合剂层，其形成于上述衬底的主表面；导电图形，其陷入上述粘合剂层。其中，导电图形露出于上述粘合剂层的与上述衬底相反的表面，包括上述露出的导电图形表面的上述粘合剂层的相反表面形成最大高度粗糖度(maximum height roughness)为Iym以下的平坦面。并且，例如，上述有机电子器件用基板可以以如下方法制造，该方法包括:在离型性衬底的离型表面形成导电图形的步骤；在形成有导电图形的衬底上形成粘合剂层的前驱物的步骤；层压(laminate)粘合剂层的前驱物和衬底，并且将上述前驱物转换为粘合剂层的步骤；以及去除上述离型性衬底的步骤。专利技术的效果根据本专利技术示例性的基板，例如，当该基板上部形成有机发光二极管时，即使在上述器件以大面积构成时，也能够有效地调整电极的表面电阻，由此确保优异的发光亮度和发光均匀度。【附图说明】图1至图3是示出示例性基板的示意图。图4是示例性地示出露出于基板平坦面的导电图形的形状的图。图5和图6是示出示例性基板的制造方法的示意图。图7和图8是示出根据实施例制造的基板的图。图9是示出根据实施例制造的基板的最大高度粗糙度的图。【具体实施方式】本专利技术的示例性的有机电子器件用基板可以包括:衬底；粘合剂层，其形成于上述衬底的主表面；以及导电图形，其陷入上述粘合剂层。其中，上述导电图形露出于上述粘合剂层的与上述衬底相反的表面，上述粘合剂层的相反表面(包括上述露出的导电图形的表面)形成最大高度粗糙度(maximum height roughness) Slym以下的平坦面。在本说明书中，用语“平坦面或相反表面”可以指:在上述基板的结构中，上述导电图形露出的一侧的粘合剂层的表面和上述导电图形的露出表面一起形成的表面。并且，上述粘合剂层的表面，包括粘合剂自身的表面是当然的，例如在下面所述，当粘合剂层包括表面层时，还可以包括所述表面层的表面。一实施例中，上述平坦面可以是在其上部形成有有机电子器件的平坦面。图1表示一个示例性的上述基板I的结构，包括衬底11、形成在上述衬底11上的粘合剂层12、以及陷入粘合剂层12的内部的导电图形13。对衬底无特别限定，可以根据需要使用适当的材料。一实施例中，当上述有机电子器件为下部发光(bottom emission)型有机发光二极管时，例如上述衬底可以是透光性衬底如可见光区域——如400nm至700nm波长区域——的透光率为50%以上、60%以上、70%以上或者50至98%。透光性衬底可以例举玻璃衬底或者透明聚合物衬底。玻璃衬底可以例举出钠钙玻璃、含钡/锶玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼硅酸钡玻璃或石英等衬底；聚合物衬底可以例举出所示的基底可以是PC (聚碳酸酯,polycarbonate)、丙烯酸树脂，PET (聚(对苯二甲酸乙二醇酯),PES (聚(醚)或PS (聚砜，polysulfone),但并不限于此。另外，根据需要，上述衬底可以是具有驱动用TFT的TFT衬底。并且，当上述有机电子器件为顶部发光(top emission)型时，上述衬底不一定非透光性衬底不可。在上述情况下，根据需要，可以在衬底表面形成使用铝等的反射层。粘合剂层可以在上述衬底的至少一个主表面上形成，并起到保持上述导电图形的作用。只要粘合剂层起到如上所述的作用，就可以使用各种各样的材料。粘合剂层，例如，透光性粘合剂层可以使用包含粘合剂的粘合剂层，该粘合剂对于可见光区域、例如400nm至700nm波长的光的穿透率为70%以上、80%以上、90%以上、70至90%、或者 70 至 99%。作为粘合剂层可以使用包含室温固化型、湿固化型、热固化型、活性能量射线固化型、或者混合固化型的有机或无机粘合剂的粘合剂层。例如，粘合剂可以包含:丙烯酸树脂、有机硅树脂、聚氨酯、环氧树脂、氟树脂或者苯乙烯树脂等粘合树脂；或者锆醇盐、钛醇盐、或硅醇盐的缩合反应物。在本说明书中，用语“固化”是表示:通过所包含的组分的化学或物理反应、作用来表现出可以用作粘合剂层的物理特性的过程。室温固化型、湿固化型、热固化型、活性能量射线固化型、或混合固化型可以是:通过在室温下维持、施加湿气、施加热量或者活性能量射线的照射来诱导如上所述的固化；或组合上述中的两个以上的方式而被固化的粘合剂。并且，在如上所述的用语“活性能量射线”的范畴中，可以包含:微波(microwaves)、红外线(IR)、紫外线(UV)、X-射线；或者Y-射线或α-粒子射线(alpha-particle beam)、质子束(proton beam)、中子束(neutron beam)或电子线(electron beam)的粒子束等。在一实施例中，从工序或者体现特性的便利性的方面考虑，作为上述粘合剂层可以使用包含活性能量射线固化型粘合剂的粘合剂层。在一实施例中，当上述有机电子器件形成在上述平坦面上时，上述粘合剂层可以是高折射粘合剂层，例如可以具有与形成在上述平坦面上部的有机电子器件相同或者类似、或高于其的折射率。在一实施例中，上述粘合剂层的折射率和形成在上述平坦面上部的有机电子器件的折射率之差的绝对值可以是I以下、0.8以下、0.6以下、0.4以下或者0.2以下。在一实施例中，上述粘合剂层的折射率可以是1.6以上、1.7以上、1.8以上或者1.9以上。在这种折射率的范围内，例如上述有机电子器件为有机发光二极管时，将从器件产生的光在使全反射现象等最小化的同时有效地入射至粘合剂层。并且，只要上述粘合剂层的折射率的上限在与有机电子器件类似或高于其的范围内，就无特别限制，例如可以是4.0以下、3.5以下、3.0以下、2.5以下或者2.0以下。对粘合剂层赋予高折射率方法无特别限制。例如，作为形成粘合剂层的粘合树脂或者粘合剂层的添加剂可以使用:导入有在结构中包含如苯酚等芳香基或者除氟以外的卤素原子、硫原子、磷原子或氮原子等的单体；或导入包含其单体的树脂等，由此提高基体(matrix)自身的折射率的粘合剂。可以采用在粘合剂中分散例如钛、锆、铝、铟、锌、锡或锑等的金属氧化物或氢化物的具有高折射特性的颗粒的方法来调整折射率。作为上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电子器件用基板，包括：衬底；粘合剂层，其形成于所述衬底的主表面上；以及导电图形，其陷入所述粘合剂层，其中，所述导电图形露出于与所述粘合剂层的与所述衬底侧表面相反的表面，包括露出的导电图形表面的所述粘合剂层的相反表面是最大高度粗糙度为1μm以下的平坦面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.29 KR 10-2011-0028091;2011.10.07 KR 10-201.一种有机电子器件用基板，包括: 衬底； 粘合剂层，其形成于所述衬底的主表面上；以及 导电图形，其陷入所述粘合剂层， 其中， 所述导电图形露出于与所述粘合剂层的与所述衬底侧表面相反的表面，包括露出的导电图形表面的所述粘合剂层的相反表面是最大高度粗糙度为Iym以下的平坦面。2.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 平坦面为在其上形成有机电子器件的面。3.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 衬底为对于可见光区域的光的穿透率为50%以上的透光性衬底。4.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层为活性能量射线固化型粘合剂层。5.根据权利要求2所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层的折射率和形成于平坦面上的有机电子器件的折射率之差的绝对值为I以 下。6.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层包含散射颗粒，该散射颗粒具有与粘合剂层不同的折射率。7.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层进一步包括形成所述平坦面的表面层。8.根据权利要求7所述的有机电子器件用基板，其中， 表面层为导电表面层。9.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 平坦面的表面电阻为10 Ω/ □以下。10.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 露出于平坦面的导电图形的面...

【专利技术属性】
技术研发人员：李渊槿，文敬植，张星守，安庸植，金正斗，朴珉春，金正凡，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：
国别省市：