透明红外-可见光上转换器件制造技术

本发明专利技术的实施方案涉及具有两个透明电极的透明上转换器件。在本发明专利技术的实施方案中，所述上转换器件包括从透明基底起包括阳极、空穴阻挡层、IR敏化层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极和抗反射层的层的堆叠体。在本发明专利技术的一个实施方案中，所述上转换器件包括IR透过的可见光阻挡层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明红外-可见光上转换器件相关申请的交叉引用本申请要求2011年6月6日提交的美国临时申请序列号第61/493，696的权益，其全部内容(包括任何图、表或附图)都通过引用并入本文中。
技术介绍
最近，因为光上转换器件在夜视、测距、安全性以及半导体晶片检查中的潜在应用，所以它们引起了极大的研究兴趣。早期的近红外(NIR)上转换器件主要基于其中光探测部件和发光部件串联的无机半导体异质结结构。由于用于光探测器和发光二极管LED的两种半导体材料之间的晶格失配，所以基于无机化合物半导体的红外IR-可见光上转换器件的制造具有挑战性。由于外延生长的无机器件的高成本，所以无机器件局限于小面积应用的制造。其他上转换器件倾向于显示出通常很低的效率。例如，一种集成了 LED和基于半导体的光探测器的NIR-可见光上转换器件表现出的最大外部转换效率仅为0.048 (4.8% )W/W。最近，其中将InGaAs/InP光探测器耦接至有机发光二极管(OLED)的混合有机/无机上转换器件表现出的外部转换效率为0.7% W/W。目前无机上转换器件和混合上转换器件的制造昂贵，并且用于制造这些器件的工艺不适宜大面积应用。正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括堆叠层结构的透明上转换器件，所述堆叠层结构包括：透明阳极、至少一个空穴阻挡层、IR敏化层、至少一个空穴传输层、发光层、至少一个电子传输层和透明阴极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.06 US 61/493,6961.一种包括堆叠层结构的透明上转换器件，所述堆叠层结构包括:透明阳极、至少一个空穴阻挡层、IR敏化层、至少一个空穴传输层、发光层、至少一个电子传输层和透明阴极。2.根据权利要求1所述的上转换器件，其中所述堆叠层结构的厚度小于I微米。3.根据权利要求1所述的上转换器件，其中所述堆叠层结构允许可见光穿过所述堆叠层结构的透射率至少为20%。4.根据权利要求1所述的上转换器件，其中在用于使入射IR辐射进入所述堆叠层结构的表面处的所述透明阳极或透明阴极的IR透射率为至少50%，其中用于使可见光从所述堆叠层结构离开的表面的可见光透射率为至少50%。5.根据权利要求1所述的上转换器件，其中所述透明阳极包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ΑΤ0)、铝锌氧化物(AZO)、碳纳米管或银纳米线。6.根据权利要求1所述的上转换器件，其中所述空穴阻挡层包括Ti02、ZnO、BCP,Bphen、3TPYMB 或 UGH2。7.根据权利要求1所述的上转换器件，其中所述IR敏化层包括PbSeQD,PbS QD,PbSe膜、PbS 膜、InAs 膜、InGaAs 膜、Si 膜、Ge 膜、GaAs 膜、二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸 _3，4，9，10-二酐(PTCDA)、酞菁锡(II) (SnPc)、SnPc: C6tl、酞菁氯化铝(AlPcCl)、AlPcCl: C6(l、酞菁氧钛(TiOPc)或 TiOPc: C6tl。8.根据权利要求1所述的上转...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰基·索，金渡泳，布哈本德拉·K·普拉丹，
申请(专利权)人：佛罗里达大学研究基金会有限公司，纳米控股有限公司，
类型：
国别省市：