半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：一半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。本发明专利技术可避免元件间的短路情形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作，尤其涉及一种，以避免其内元件间的短路情形。
技术介绍
随着特征尺寸的缩减及芯片上的装置密度(device density)的增加,用于金属氧化物半导体装置(MOS devices)的可靠接触结构的制作便越困难。举例来说，随着金属氧化物半导体装置密度的增加，接触结构的深宽比(即深度与宽度的比例)亦随而增加。介于相邻金属氧化物半导体装置的间距(Pitch)亦随着缩减以增加装置密度，进而使得于形成接触结构时所露出的金属氧化物半导体装置的间隔物可能于形成接触结构时被部分移除，因而会露出导电栅。然而，随着金属氧化物半导体装置的特征尺寸的降低，上述的导电栅露出情形为不期望的，于接触结构形成后便可能于导电栅与接触结构间产生短路现象，进而影响了金属氧化物半导体装置的可靠度。
技术实现思路
有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种，以解决上述习知问题。依据一实施例，本专利技术提供了一种半导体装置，包括:—半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括: 一半导体基板； 一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层； 一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及 一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一导电接触物，设置于该半导体基板的一部分上并接触所述源极/漏极区。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该间隔物的该氮化硅层具有一“ π ”形剖面，而所述多个氧化硅层则分别形成于该氮化硅层与该半导体基板之间并接触该氮化娃层与该半导体基板。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层包括经掺杂多晶硅。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层包括经掺杂多晶硅与金属。6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括: 提供一半导体基板； 形成一介电层于该半导体基板上； 形成一导电层于该半导体基板上，覆盖该介电层的一部分； 形成一对轻度掺杂区于该导电层的对称侧的该半导体基板内； 形成一间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：