半导体元件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体元件及其形成方法。半导体结构形成于基板上，且包含第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管及第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管。第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管具有形成于基板上的第一栅极结构、第一源极区及第一漏极区。第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管具有形成于基板上的第二栅极结构、第二源极区及第二漏极区。第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管以第一掩模进行第一口袋布植，第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管以第二掩模进行第二口袋布植，且第二栅极结构的方向与第一栅极结构的方向不同。本发明专利技术能减缓元件非匹配性的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种；具体而言，本专利技术涉及一种与口袋型布植(pocket implant or halo implant)技术相关的。
技术介绍
随着半导体工艺技术的演进，半导体元件已渐渐地朝着小尺寸及高密度的方向发展。当半导体元件的尺寸变小时，会面临短沟道效应(short channel effect)的问题。口袋型布植(pocket implant or halo implant)技术为改善短沟道效应的常用方法。图1A描绘公知半导体元件I的俯视图，而图1B则描绘公知半导体元件I于参考虚线14处的剖面示意图。半导体元件I包含基板10、栅极结构11、源极区12及漏极区13，而栅极结构11则包含介电层Ila及栅极电极lib。公知的口袋型布植技术由四个方向10a、10b、10c、10d对半导体元件I进行口袋型布植。首先，设定离子布植(ion implantation)条件并固定离子布植的角度，接下来以同一掩模由四个方向10a、10b、10c、10d中的其中一方向(例如:方向IOa)开始进行口袋型布植，之后将基板10水平地旋转九十度，再由下一方向(例如:方向IOc)进行口袋型布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，形成于一基板上，包含：一第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第一栅极结构、一第一源极区、及一第一漏极区；以及一第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第二栅极结构、一第二源极区、及一第二漏极区；其中，该第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第一掩模进行一第一口袋布植，该第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第二掩模进行一第二口袋布植，且该第二栅极结构的方向与该第一栅极结构的方向不同。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，形成于一基板上，包含: 一第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第一栅极结构、一第一源极区、及一第一漏极区；以及 一第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管，具有形成于该基板上的一第二栅极结构、一第二源极区、及一第二漏极区； 其中，该第一第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第一掩模进行一第一口袋布植，该第二第一型金属氧化物半导体场效晶体管以一第二掩模进行一第二口袋布植，且该第二栅极结构的方向与该第一栅极结构的方向不同。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一栅极结构的方向与该第二栅极结构的方向实质上呈九十度。3.如权利要求1所述的半导体兀件，其中该第一口袋布植施加于该第一栅极结构与该第一源极区及该第一漏极区所形成的第一沟道两端。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第二口袋布植施加于该第二栅极结构与该第二源极区及该第二漏极区所形成的第二沟道两端5.如权利要求4所述的半导体元件，其中以该第一掩模进行的该第一口袋布植所施加的角度与以该第二掩模进行的该第二口袋布植施加的角度实质上呈九十度。6.一种于一基板上形成半导体元件的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶达勋，黄惠民，简育生，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：