存取非易失性存储器的方法技术

公开一种存取非易失性存储器的方法。数据的初始位以位级进行复制，以产生对应于每个初始位的多个复制位。在对应于不同初始位的复制位之间提供至少一个屏蔽位。将复制位与至少一个屏蔽位烧录到非易失性存储器。根据复制位产生或决定初始位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有关于非易失性存储器的技术，特别是涉及一种避免受到耦合效应及异常行(bad column)问题影响的。
技术介绍
快闪存储器为一种非易失性存储器元件，其可以电气方式进行抹除及写入。传统快闪存储器可在每一存储器单元内储存单一位的数据，因而每一存储器单元具有两种可能状态。因此，将此种传统快闪存储器称为单一位单元(single-bit per cell)快闪存储器。现今快闪存储器可在每一存储器单元内储存两位或多位的数据，因而每一存储器单元具有两个以上的可能状态。此种快闪存储器因此称之为多位单元(mult1-bit per cell)快闪存储器。图1示出了与非门(NAND)快闪存储器的示意图，其中与非门(NAND)快闪存储器包括由浮栅存储器单元11所排列组合的阵列(n-by-m)。从字线WLO至字线WLn-1中选取位在列上的浮门存储器单元。位在行上的浮栅存储器单元11耦接漏极至源极，以形成对应耦接至感测放大器的位线BLO至BLm-1。当存储器储存密度增加和/或更多位储存在单一单元中，则浮栅存储器单元11间的电容耦合也会随之增加。耦合效应可以降低，例如，可通过使用位在存储器控制器中的信号高频滤波元件，或是在快闪存储器中使用非单一,决取存储器容错设计(fault-tolerantdesign)，但其整体所需的费用高且系统设计复杂性高。快闪存储器一般可能具有一些缺陷位线，也就是位线上有一或多个浮栅存储器单元不能正常工作，因此这些位线通常视作为异常行。异常行问题可以被解决，例如，通过在快闪存储器中使用复制电路(replacement circuit),以使数据改向到快闪存储器中的保留区域，然而如此将产生高成本的缺点。异常行问题的解决方式也可以是通过存储器控制器，使得当在存取快闪存储器时，跳过缺陷位线。传统解决异常行问题的方法需要在最初时，将参数储存到快闪存储器中，并且须根据参数可适当初始化以用于快闪存储器的存储器控制器。然而，使用于存储器控制器以解决由于快闪存储器缺陷或不完善所产生的问题的参数，一开始即可能储存在快闪存储器的缺陷区域中。因此，亟需提出具有高效率及高效益的存取非易失性存储器的新颖方法。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的一实施例提供一种避免受到耦合效应及异常行(badcolumn)问题影响，准确的在非易失性存储器存取数据的方法。根据本专利技术的一实施例，以位级复制一数据的初始位，由此产生对应于每一初始位的多个复制位。在对应于不同初始位的复制位之间提供至少一个屏蔽位。将复制位与至少一个屏蔽位烧录至非易失性存储器。之后，根据复制位来产生或决定数据的初始位。【附图说明】图1是示出与非门(NAND)快闪存储器的示意图；图2是示出存储器系统的功能方框图；图3是示出保护数据及保护码的数据结构的示例图；图4A及图4B是根据本专利技术的第一实施例示出的一种示意图；图4C是根据本专利技术的第一实施例示出一种烧录多位单元快闪存储器的方法示意图；图4D是根据本专利技术的第一实施例示出在烧录多位单元快闪存储器后的门限电压分布图；图5A是根据本专利技术的第二实施例示出一种示意图；图5B及图5C是根据本专利技术的第二实施例示出的一种烧录快闪存储器的方法示意图；图6A至图6D是根据本专利技术的另一第二实施例示出一种烧录非易失性存储器的方法示意图；图7A是根据本专利技术的第三实施例示出一种示意图；图7B及图7C是根据本专利技术的第三实施例示出一种烧录非易失性存储器的方法示意图；图8A及图SB是根据本专利技术的另一第三实施例示出一种烧录非易失性存储器的方法示意图；图9A至图9C是根据本专利技术的第四实施例示出一种烧录非易失性存储器的方法示意图；以及图10是示出考虑异常行的示意图。附图标号说明11:浮栅存储器单元21:存储器控制器22:非易失性存储器【具体实施方式】本专利技术公开一种在非易失性存储器存取数据的方法。而所公开的方法可用于存储器控制器21中，如图2所示，其中存储器控制器21控制在非易失性存储器22(例如:快闪存储器)流出或流入的数据流。在一实施例中，作为初始化非易失性存储器22以使用存储器控制器21的参数，是以一特定方式(其描述记载在后述说明内容中)写入(或烧录)至非易失性存储器22，以使即便参数部分有误，参数也可从非易失性存储器22正确读取。此夕卜，所公开的方法可适用于在非易失性存储器22中储存重要数据或一般数据。在本说明书中，用语”写入(write)”可与用语”烧录(program)”相互交替。虽然以下实施例是以快闪存储器作为示例，但其所公开的方法可广泛适用于非易失性存储器，其中非易失性存储器在电源关闭时仍可保留存储数据。在本说明书中，用语“数据”可指欲保护的信息(或数据)，并且还可包括至少一个保护码，其用于检测错误和/或确保保护数据完整性的修正。图3图示了一些保护数据及保护码的数据结构示例，例如:纠错码(error-correcting code;ECC)、循环冗余校验(cyclicredundancy check;CRC)或校验和(checksum)。第一实施例图4A是根据本专利技术的第一实施例所图示的一种存取非易失性存储器(以下简称为“存储器”或“快闪存储器”)的方法示意图。在本实施例中，数据的初始位(例如:写入存储器的数据)依序以位级复制，以产生复制位。如图4A所示，初始数据包括26位A，B，...Z，其中每一位具有 8 个初始位，即 A=(a0, al,...a7)、B=(bO, bl, ---bi)、…Z=(z0, zl,...z7)。初始位依序在位级复制七次，以分别生成复制位(a0°，aO1，...aO6)、(al0, al1,...al6)、…(b0°, bO1，...bO6)、(bl0, bl1,...bl6)、...(z7°, z7\...z76)，其中 aO^aO1...=a06、alLal1...=al6等。根据本实施例的一方面，对应于每一初始位的复制位邻接着至少一个(位线)屏蔽位(Sb)。在实施例中，屏蔽位最好是不同于复制位，以防止产生耦合效应。实施例中的屏蔽位所烧录的数据，最好其所表示的电压尽可能低。在一实施例中，屏蔽位是以虚拟数据烧录，举例来说，位“ I ”可表示为存储器单元中的最低电压电平。所属本领域技术人员可领会到，对应于每一初始位的复制位的数量及屏蔽位的数量，都不局限于图4A所示出的示意数量。举例来说，如图4B所示的优选实施例中，初始位依序在一位级复制八次，并且对应于每一初始位的复制位邻接着八个屏蔽位(sbl, sb2,...sb8)。关于多位单元(mult1-bit per cell)快闪存储器,举例来说,三位单元(3b/cell)快闪存储器中的每一单元可储存三个信息位(例如:最低有效位(LSB)、中间有效位(CSB)及最高有效位(MSB))，而将数据烧录至多位单元快闪存储器的一些方法则如下所述。在第一种将数据烧录到多位单元快闪存储器的方法中，如图4C所示，复制位(例如:a0°, aO1，...aO6)以及屏蔽位(sb)烧录到字线的全页(例如:LSB、CSB及MSB页)。在第二种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中，仅LSB页是以复制位与屏蔽位烧录，至于其他页(例如:CSB页与MSB页)则是以虚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存取非易失性存储器的方法，包括：以位级复制数据的多个初始位，以生成对应于每一个所述初始位的多个复制位；在对应于不同初始位的所述复制位之间提供至少一个屏蔽位；将所述复制位和所述至少一个屏蔽位烧录至所述非易失性存储器；以及根据所述复制位，产生所述数据的所述初始位。

【技术特征摘要】
2012.07.24 US 13/556,8071.一种存取非易失性存储器的方法，包括: 以位级复制数据的多个初始位，以生成对应于每一个所述初始位的多个复制位； 在对应于不同初始位的所述复制位之间提供至少一个屏蔽位； 将所述复制位和所述至少一个屏蔽位烧录至所述非易失性存储器；以及 根据所述复制位，产生所述数据的所述初始位。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器包括快闪存储器。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述数据包括保护数据以及至少一个保护码， 其中，该保护码用于错误检测和/或纠正，以确定该保护数据的正确性。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个屏蔽位是以表示最低电压电平的数据而烧录的。5.如权利要求1所述的方法，其中，对应于每一个所述初始位的所述复制位邻接着所述至少一个屏蔽位。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽位是以虚拟数据而烧录的。7.如权利要求1所述的方法，其中，将对应于每一个所述初始位的所述复制位烧录到一字线的非连续第一位线和该字线的非连续第二位线；并且 其中，所述第一位线散布在所述第二位线之间，使所述第二位线的所述复制位作为所述屏蔽位。8.如权利要求7所述的方法，`其中，所述第一位线是偶数位线，并且所述第二位线是奇数位线。9.如权利要求1所述的方法，其中，将对应于每一个所述初始位的所述复制位烧录至一字线的非连续第一位线，并且将一虚拟数据烧录至所述字线的非连续第二位线，并且 其中，所述第一位线散布在所述第二位线之间，使所述第二位线的所述虚拟数据作为所述屏蔽位。10.如权利要求1所述的方法，其中，将对应于每一个所述初始位的所述复制位烧录至一第一字线的非连续第一位线与一相邻第二字线的非连续第二位线，并且将一虚拟数据烧录至该第一字线的非连续第二位线与该第二字线的非连续第一位线， 其中，所述第一位线散布在所述第二位线之间，使所述第二位线的所述虚拟数据作为所述屏蔽位。11.如权利要求10所述的方法，还包括: 将一反转复制位烧录至一第三字线的非连续第一位线，其中所述反转复制位反转于所述复制位；以及 将所述虚拟数据烧录至所述第三字线的非连续第二位线。12.如权利要求1所述的方法，其中，将所述复制位与所述屏蔽位烧录至一第一字线，并且将一虚拟数据烧录至一相邻第二字...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亦峻，李忠勋，周铭宏，
申请(专利权)人：擎泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：