半导体存储器件及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于标志单元的数据而省略对选中的存储块的擦除操作。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月8日提交的申请号为10-2012-0086902的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种实施例总体而言涉及一种半导体器件及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器件是一种包括诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)的半导体材料的存储器件，并且主要被分成易失性和非易失性类型。易失性存储器件是一种当电源中断时储存在其中的数据会丢失的存储器件。不同类型的易失性存储器包括静态RAM (SRAM)、动态RAM (DRAM)以及同步DRAM (SDARM)0非易失性存储器件是一种当电源中断时仍保留储存在其中的数据的存储器件。不同类型的非易失性存储器件包括ROM (只读存储器)、可编程ROM (PROM)、电可编程ROM (EPR0M)、电可擦除和可编程ROM (EEPR0M)、快闪存储器、相变RAM (PRAM)、磁性RAM (MRAM)、阻变RAM(RRAM)以及铁电RAM (FRAM)0快闪存储器主要被分成NOR和NAND类型。当执行编程操作和擦除操作时，诸如快闪存储器的半导体存储器件的存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个页包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于所述标志单元的数据而省略对所述选中的存储块的擦除操作。

【技术特征摘要】
2012.08.08 KR 10-2012-00869021.一种半导体存储器件，包括: 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个页包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及 外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于所述标志单元的数据而省略对所述选中的存储块的擦除操作。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成当所述选中的存储块的标志单元处于擦除状态时省略所述擦除操作。3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成当所述选中的存储块的所述标志单元中的至少一个处于编程状态时执行擦除操作。4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成将相同的电压供应给与所述选中的存储块的标志单元耦接的字线，以读取所述标志单元的数据。5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成当在接收到所述擦除请求之前对所述多个页中的每个页执行编程操作时，对所述至少一个标志单元编程。6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，当对所述选中的存储块执行擦除操作时，擦除所述标志单元的数据。7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中: 所述多个页包括多个偶数页和多个奇数页，以及 所述多个页还包括指示数据是否储存在所述多个偶数页中的第一标志单元、和指示数据是否储存在所述多个奇数页中的第二标志单元。8.如权利要求7所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴成勋，车载元，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：