一种纳米级羟基氧化钴合成工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，属于二次电池技术领域。具体经过溶液配比、合成、沉化和后处理得到产品纳米级羟基氧化钴。本发明专利技术与现有技术相比，可应用于镍氢电池生产中，在正极材料中可完全替代氧化亚钴，氢氧化钴，不但可降低生产成本，提高产品质量的稳定性，利用率，而且在循环寿命、低温放电等方面更具有优势，将带来我国镍氢电池生产工艺提升的一场新的变革。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，其特征是具体步骤如下：（1）溶液配比：取钴盐溶液，用去离子水稀释到0.2~0.5mol/L；取氢氧化钠用去离子水配成2~2.5mol/L浓度的氢氧化钠溶液备用；（2）合成：按步骤（1）所配置的钴盐溶液︰氨水体积比为4~8:1泵入反应釜内，氨水浓度为1.5~2mol/L，控制温度在?10~100℃之间，搅拌均匀，搅拌速度为90~120r/min；每100L氨水加入强抗氧化剂1~3kg后，立即用泵快速将步骤（1）所得氢氧化钠溶液打入反应釜，钴盐溶液与氢氧化钠溶液体积比为1︰1~2；控制pH为12~12.5，温度25~50℃反应0.2~0.5h；反应完毕后保持50~80...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高峰，吴丽娟，
申请(专利权)人：无锡中经金属粉末有限公司，
类型：发明
国别省市：