电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法技术

一种电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法，工艺步骤包括：硝酸钴、硝酸镍溶液制备；草酸铵配制；沉淀反应制取草酸钴、草酸镍；过滤、洗涤；焙烧草酸钴、草酸镍制取氧化钴、氧化镍粉末。该方法不仅工艺简单，而且能生产出费氏粒度小于１μｍ、晶粒度小于５００Ａ的高纯度氧化钴、氧化镍粉末，用上述产品作掺杂材料，电子元器件的稳定性和可靠性好，电性能有较大提高。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于，它们用于作热敏电阻、压敏电阻、显像管玻壳等电子元件的掺杂材料。我国化工产品中，氧化钴、氧化镍粉末的制备方法一般是用钴或镍的碳酸盐、硝酸盐或氢氧化物为原料，经煅烧而得，也有以氯化钴(镍)为原料，加入草酸铵生成草酸钴(镍)沉淀，再在空气中煅烧而得。上述方法得到的产品，碱金属和碱土金属含量较高，粒度粗，又无物理规格要求，因此不符合电子元件掺杂粉体材料的要求。日本专利JP2208227A公开了一种制备低密度氧化钴的方法，该方法以氯化钴溶液为原料与草酸或草酸铵反应生成草酸钴；或以硝酸钴溶液为原料与重碳酸碱反应生成碱性碳酸钴，然后再加入草酸生成草酸钴；过滤、洗涤、干燥后经焙烧草酸钴而制得氧化钴粉末，焙烧时必须通以氧气。用此种方法生产电子元件掺杂粉体材料存在以下问题1.以氯化钴为原料，影响电性能的Cl-离子洗涤困难，在后续的焙烧工序中也不易去除；2.以硝酸钴为原料，由于存在硝酸钴转化为碱性碳酸钴的中间工序，不仅使工序增多，而且使产物中容易引入Na+、K+等严重影响所掺杂元件电性能的离子；3.干燥、焙烧分别进行，焙烧时必须通氧，即增加设备，又使操作复杂经化。本专利技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法，工艺步骤包括：（１）钴盐、镍盐溶液制备，（２）草酸铵配制，ｐＨ值控制在２．０～５．０，（３）沉淀反应制取草酸钴、草酸镍，整个反应在搅拌下进行，（４）过滤、洗涤，最后一次洗出液的ｐＨ 值控制在５．０～７．０，（５）焙烧草酸钴、草酸镍制取氧化钴、氧化镍粉末，焙烧温度为３００～５００℃，其特征在于：（１）钴盐、镍盐溶液为硝酸钴、硝酸镍溶液，将高纯度的电解金属钴、金属镍用硝酸溶解而制得，溶液中的钴含量、镍含量控制在 １００～３００克／升，游离酸控制在１０克／升以下，（２）沉淀反应时，硝酸钴、硝酸镍溶液的温度...

【技术特征摘要】
1.一种电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法，工艺步骤包括(1)钴盐、镍盐溶液制备，(2)草酸铵配制，pH值控制在2.0～5.0，(3)沉淀反应制取草酸钴、草酸镍，整个反应在搅拌下进行，(4)过滤、洗涤，最后一次洗出液的pH值控制在5.0～7.0，(5)焙烧草酸钴、草酸镍制取氧化钴、氧化镍粉末，焙烧温度为300～500℃，其特征在于(1)钴盐、镍盐溶液为硝酸钴、硝酸镍溶液，将高纯度...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷慧绪，
申请(专利权)人：雷慧绪，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]