用于形成含钴材料的工艺制造技术

本发明专利技术的实施例大体上提出形成硅化钴层、金属钴层和其它含钴材料的方法及设备。在一实施例中，在基板上形成含硅化钴材料的方法包括：使基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露含硅表面；在含硅表面上沉积硅化钴材料；在硅化钴材料上沉积金属钴材料、以及在基板上沉积金属接触材料。在另一实施例中，方法包括：使基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露含硅表面；在含硅表面上沉积硅化钴材料；使基板暴露于退火处理；在硅化钴材料上沉积阻挡材料、以及在阻挡材料上沉积金属接触材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成含钴材料的工艺
技术介绍
专利
本专利技术涉及半导体及其它电子器件的制造，尤其涉及在基板上沉积材料(例如含钴材料)的方法。现有技术描述近来对半导体基板上的极大规模集成(ULSI)电路的改进指出，未来一代的半导体器件将需要深亚(sub-quarter)微米的多层金属化。位于技术核心的多层互连需平坦化形成在高深宽比开孔中的互连特征结构，包括触点(contact)、通孔(via)、接线、和其它特征结构。随着特征结构尺寸縮小至0.13微米以下，确实形成这些互连特征结构就ULSI成效及持续提高各基板与管芯上的电路密度与质量而言是很重要的。ULSI电路包括金氧半导体(MOS)器件，诸如互补式金氧半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)。晶体管可包括置在源极与漏极间的半导体栅极。在形成集成电路结构时，特别是形成利用多晶硅栅电极的MOS器件时，已常在多晶硅栅电极上、和硅基板的源极与漏极上设置金属硅化物层，以便于降低阻抗，并藉由将源极与漏极电气连接至金属互连而增进器件性能。目前用于CMOS处理技术的重要处理技术之一为耐火金属(诸如钛和钴)的自对准硅化(Self-Aligned Silicida本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基板上形成含硅化钴材料的方法，所述方法包括：　将基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露出含硅表面；　在所述含硅表面上沉积硅化钴材料；　在所述硅化钴材料上沉积金属钴材料；以及　在所述基板上沉积金属接触材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K莫赖斯，M常，SS储，S甘古里，SE潘，SH俞，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]