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本发明涉及一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，属于二次电池技术领域。具体经过溶液配比、合成、沉化和后处理得到产品纳米级羟基氧化钴。本发明与现有技术相比，可应用于镍氢电池生产中，在正极材料中可完全替代氧化亚钴，氢氧化钴，不但可降低生产成本，提高产品...
该专利属于无锡中经金属粉末有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中经金属粉末有限公司授权不得商用。

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