【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅料清洗方法,包括以下步骤:⑴、配制浓度为5~11%的氢氧化钠溶液,加热至50~90℃;⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2~3分钟,捞出硅料;⑶、依次用浓度为20~30%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘耀峰,潘振东,
申请(专利权)人:无锡荣能半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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