用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统技术方案

本发明专利技术揭露一种柴式生长系统，包括生长腔，隔离阀，含有原料的进料腔，以及进料机。该隔离阀置于该生长腔的至少一个侧边壁中，而该进料腔通过该隔离阀而真空密封至该生长腔。该进料机通过该隔离阀可插入至该生长腔且提供该原料至该生长腔。优选地，此系统能使用连续柴式方法用来制造硅锭。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统相关申请案的交互参考本专利技术主张于2011年4月20日所提出的美国临时专利申请案第61/477，435号的利益。
本专利技术一般涉及结晶锭块的柴氏生长。具体而言，本专利技术涉及用于结晶锭块的连续柴式生长的重复提供原料的进料系统。
技术介绍
类似于最普遍使用于硅集成电路者，在正在发展的许多类型的光伏太阳能电池中，其中一种最有效且经济的电池是基于通过柴氏法(Czochralski method)生长的娃晶圆的电池。在柴氏生长(CZ)方法中，在约1420°C的温度下让硅在坩埚中熔融成其液体状态。将预定结晶方向的小结晶硅晶种与熔融物接触并且之后逐渐拉出。在适当的温度控制下，液体硅以相同于晶种的方向凝固在该晶种上。之后，通过初次拉出条件如自晶种的直径延伸至所欲锭块的直径，缓慢自熔融物拉取该晶种以形成具有最终长度典型为一公尺或更多以及直径为数百毫米的长晶硅锭。在典型集成电路的应用上，批次CZ以下列方式实行:以首次填充的电子级(EG)娃填充i甘祸(该娃也称为初生多晶娃(virgin polysilicon)或仅称为多晶硅(polysilicon))。之后加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柴式生长系统，包括：生长腔，包括坩埚、侧边壁、顶侧壁、用于支撑该坩埚的基座、及可拉回地支撑用于接触包含在该坩埚中的熔融物的晶种的拉取机制；隔离阀，置于该生长腔的至少一个侧边壁中；进料腔，通过该隔离阀真空密封至该生长腔且含有原料；以及进料机，通过该隔离阀可插入至该生长腔中，以提供该原料至该生长腔，并可从该生长腔移动至该进料腔，且当该隔离阀关闭时可置放在该生长腔中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.20 US 61/477,4351.一种柴式生长系统，包括: 生长腔，包括坩埚、侧边壁、顶侧壁、用于支撑该坩埚的基座、及可拉回地支撑用于接触包含在该坩埚中的熔融物的晶种的拉取机制； 隔离阀，置于该生长腔的至少一个侧边壁中； 进料腔，通过该隔离阀真空密封至该生长腔且含有原料；以及 进料机，通过该隔离阀可插入至该生长腔中，以提供该原料至该生长腔，并可从该生长腔移动至该进料腔，且当该隔离阀关闭时可置放在该生长腔中。2.根据权利要求1所述的柴式生长系统，进一步包括滴加盒，固定在具有从该进料机接收该原料的斜底的该生长腔内，以及位于该坩埚上方的喷口。3.根据权利要求2所述的柴式生长系统，其中，该斜底倾斜在约30°及约60°之间的角度。4.根据权利要求1所述的柴式生长系统，其中，该坩埚包括位于该拉取机制下方的内区及与该内区有流体交流的环状外区。5.根据权利要求2所述的柴式生长系统，其中，该坩埚包括位于该拉取机制下方的内区及与该内区有流体交流且置放于该滴加盒的该喷口下方的环状外区。6.根据权利要求2所述的柴式生长系统，其中，该滴加盒包括碳化硅。7.根据权利要求2所述的柴式生长系统，进一步包括容器，用于在该进料腔内置放该原料。8.根据权利要求7所述的柴式生长系统，其中，该进料机包括进料盘，该进料盘具有用于自该容器接收该原料的接收区及连接至该接收区且具有小于该接收区的剖面的注射区，并通过该隔离阀可插入至该生长腔中。9.根据权利要求8所述的柴式生长系统，其中，该注射区具有凹底。10.根据权利要求9所述的柴式生长系统，其中，该凹底具有壁，该壁自垂直至约30°及约60°之间对立倾斜的V形状。11.根据权利要求7所述的柴式生长系统，其中，该容器包括加料斗，该加料斗具有附有置于该接收区的侧边壁内的底喷口的漏斗。12.根据权利要求8所述的柴式生长系统，进一步包括振...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·L·卢特尔，V·A·洛埃尔，D·S·威廉斯，H·P·辛西彻勒，N·米登多夫，
申请(专利权)人：GT高级锆石有限责任公司，
类型：
国别省市：