本发明涉及生长包括具有偏析系数k的掺杂物材料的硅锭的方法，其中，该掺杂物浓度在整个锭是轴向实质均匀的。该方法包括下列步骤：提供具有流体相通于外部进料区的内部生长区的坩锅，以及该内部生长区和外部进料区具有可用以判定维持所使用的特定掺杂物材...

本发明揭露一种柴式生长系统，包括生长腔，隔离阀，含有原料的进料腔，以及进料机。该隔离阀置于该生长腔的至少一个侧边壁中，而该进料腔通过该隔离阀而真空密封至该生长腔。该进料机通过该隔离阀可插入至该生长腔且提供该原料至该生长腔。优选地，此系统...

本发明揭露一种掺杂单晶硅，具有沿着纵向轴及/或径向轴少于10%的电阻率改变，以及用在制备一个或一系列连续掺杂硅晶体的方法。该方法包含提供一种含有硅的熔化物材料到连续柴克劳司基晶体成长装置、传送掺杂物(如镓、铟、或铝)到该熔化物材料、当该...