减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法技术

技术编号:9407327 阅读:153 留言:0更新日期:2013-12-05 06:28
本发明专利技术公开了一种减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法,该方法是在源漏区域光刻之后,通过对源漏区域进行选择性刻蚀,通过刻蚀势垒层减小势垒层厚度,随后蒸发源漏金属并剥离后再采用高温快速热退火工艺形成欧姆接触,在不对二维电子气造成过分损伤的情况下从物理上减小载流子的隧穿距离,提升隧穿效率,获得低欧姆接触电阻率。利用本发明专利技术,可以有效减小源漏区隧穿距离,提升载流子隧穿几率,进而获得低阻欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法,其特征在于,该方法是在源漏区域光刻之后,通过对源漏区域进行选择性刻蚀,通过刻蚀势垒层减小势垒层厚度,随后蒸发源漏金属并剥离后再采用高温快速热退火工艺形成欧姆接触,在不对二维电子气造成过分损伤的情况下从物理上减小载流子的隧穿距离,提升隧穿效率,获得低欧姆接触电阻率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孔欣魏珂刘新宇刘果果
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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