【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种阵列基板，包括显示区域和GOA区域，其特征在于：在所述GOA区域，从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属，且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接；其中，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李田生，郭建，谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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